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Komponenten der integrierten Schaltung

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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Komponenten der integrierten Schaltung

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CHINA SN74LVC14ADR 1.65-5.5V Hex Inverter with Schmitt-Trigger Inputs 32mA Output <10ns Speed Low Power Hysteresis Noise Immunity AEC-Q100 and Tiny SOIC-14 Package usine

SN74LVC14ADR 1.65-5.5V Hex Inverter with Schmitt-Trigger Inputs 32mA Output <10ns Speed Low Power Hysteresis Noise Immunity AEC-Q100 and Tiny SOIC-14 Package

SN74LVC14ADR 1.65-5.5V Hex Inverter with Schmitt-Trigger Inputs 32mA Output andlt;10ns Speed Low Power Hysteresis Noise Immunity AEC-Q100 andamp; Tiny SOIC-14 Package andnbsp; Features andbull; Latch-up ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:57:48
CHINA SN65HVD888DR 3.3V CAN SIC Transceiver with 8Mbps Speed Low EMI Standby Mode Wide Temp Range High ESD Protection AEC-Q100 Qualified and Robust Fault Tolerance usine

SN65HVD888DR 3.3V CAN SIC Transceiver with 8Mbps Speed Low EMI Standby Mode Wide Temp Range High ESD Protection AEC-Q100 Qualified and Robust Fault Tolerance

SN65HVD888DR 3.3V CAN SIC Transceiver with 8Mbps Speed Low EMI Standby Mode Wide Temp Range High ESD Protection AEC-Q100 Qualified and Robust Fault Tolerance andnbsp; Features andbull; Exceeds requirements of ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:57:41
CHINA SSM3K361R,LF N-Kanal 20V 3A MOSFET mit ultra-niedrigem 40mΩ RDS(on) SOT-23 Gehäuse Hohe Leistungsdichte Überlegene Effizienz Schnelles Schalten und Logikpegelsteuerung für kompakte Designs usine

SSM3K361R,LF N-Kanal 20V 3A MOSFET mit ultra-niedrigem 40mΩ RDS(on) SOT-23 Gehäuse Hohe Leistungsdichte Überlegene Effizienz Schnelles Schalten und Logikpegelsteuerung für kompakte Designs

SSM3K361R,LF N-Kanal 20V 3A MOSFET mit ultra-niedrigem 40mΩ RDS ((on) SOT-23 Paket Hohe Leistungsdichte Höhere Effizienz Schnelle Schaltung und Logik-Level-Kontrolle für kompakte Designs Eigenschaften AEC-Q101 ... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:34:12
CHINA SN74LVC1T45DBVR Einzel-Bit Dual-Supply Spannungspegelwandler mit automatischer Richtungssteuerung 1,65 V bis 5,5 V High Speed Low Power Tiny Package und 32 mA Ausgangsstrom usine

SN74LVC1T45DBVR Einzel-Bit Dual-Supply Spannungspegelwandler mit automatischer Richtungssteuerung 1,65 V bis 5,5 V High Speed Low Power Tiny Package und 32 mA Ausgangsstrom

SN74LVC1T45DBVR Einzel-Bit Dual-Supply-Spannungspegelwandler mit Auto-Richtungssteuerung 1,65 V bis 5,5 V High Speed Low Power Tiny Package und 32 mA Ausgangstreiber andnbsp; Eigenschaften andbull; ESD-Schutz ... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:34:07
CHINA SN65HVD3082EDR 3,3V CAN-Transceiver 1Mbit/s Geschwindigkeit Geringe Leistung IEC-ESD-Schutz Fehlertoleranz Großer Temperaturbereich RS-485-kompatibel und robustes Busdesign usine

SN65HVD3082EDR 3,3V CAN-Transceiver 1Mbit/s Geschwindigkeit Geringe Leistung IEC-ESD-Schutz Fehlertoleranz Großer Temperaturbereich RS-485-kompatibel und robustes Busdesign

SN65HVD3082EDR 3.3V CAN Transceiver 1Mbps Geschwindigkeit Niedrige Leistung IEC-ESD Schutz Fehlerverträglichkeit Weite Temp-Bereich RS-485 Kompatibles und robustes Busdesign Eigenschaften • erfüllt oder ... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:34:02
CHINA SMF05C.TCT 5-Kanal-ESD-Schutz-Array mit geringer Kapazität, IEC 61000-4-2-Konformität, 5V-Nennspannung, ultrakompaktes Gehäuse und platzsparendes Design für den Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen usine

SMF05C.TCT 5-Kanal-ESD-Schutz-Array mit geringer Kapazität, IEC 61000-4-2-Konformität, 5V-Nennspannung, ultrakompaktes Gehäuse und platzsparendes Design für den Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen

SMF05C.TCT 5-Kanal-ESD-Schutz-Array mit geringer Kapazität, IEC 61000-4-2-Konformität, 5V-Nennwert, ultra-kleines Gehäuse und platzsparendes Design für den Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen andnbsp... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:33:57
CHINA SI2304DS, 215 N-Kanal 20V 3,7A MOSFET mit ultra-niedrigem 45mΩ RDS(on) SOT-23 Gehäuse Hochleistungs-Enhanced-Efficiency-Power-Management und Logikpegel-Gate-Ansteuerung für platzbeschränkte Designs usine

SI2304DS, 215 N-Kanal 20V 3,7A MOSFET mit ultra-niedrigem 45mΩ RDS(on) SOT-23 Gehäuse Hochleistungs-Enhanced-Efficiency-Power-Management und Logikpegel-Gate-Ansteuerung für platzbeschränkte Designs

SI2304DS,215 N-Kanal 20V 3.7A MOSFET mit ultra-niedrigem 45mΩ RDS ((on) SOT-23 Paket Hochleistungs-effizienzverbesserte Leistungssteuerung und Logik-Level-Gate-Antrieb für raumbeschränkte Designs Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:33:51
CHINA REG1117-3.3 Ultra-Low-Drop-out-Hochgenauigkeit 3.3V Spannungsregler mit 1A Ausgangsstrom Grenzwert Wärmeschutz and Aktivieren in Miniaturpaketen usine

REG1117-3.3 Ultra-Low-Drop-out-Hochgenauigkeit 3.3V Spannungsregler mit 1A Ausgangsstrom Grenzwert Wärmeschutz and Aktivieren in Miniaturpaketen

REG1117-3.3 Ultra-Low Dropout Hochgenauer 3,3V-Spannungsregler mit 1A Ausgangsstrom, Strombegrenzung, Thermoschutz and Enable in Miniaturgehäusen andnbsp; Eigenschaften FESTE UND EINSTELLBARE VERSIONEN 2,85V ... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:33:44
CHINA OPA353NA/3K Hochgeschwindigkeits-5,5-V-Rail-to-Rail-I/O-CMOS-Operationsverstärker mit geringem Rauschen, geringer Leistung, ultra-kleinem SOT23-5, großer Bandbreite für Präzisionsanwendungen usine

OPA353NA/3K Hochgeschwindigkeits-5,5-V-Rail-to-Rail-I/O-CMOS-Operationsverstärker mit geringem Rauschen, geringer Leistung, ultra-kleinem SOT23-5, großer Bandbreite für Präzisionsanwendungen

OPA353NA/3K Hochgeschwindigkeits-5,5V-Schienen-zu-Schienen-I/O-CMOS-Op-Verstärker mit geringen Geräuschen, geringer Leistung, ultrakleine SOT23-5 Breite Bandbreite für Präzisionsanwendungen Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:33:40
CHINA OPA192IDR Präzisions-Operationsverstärker mit 25 µV Offset, 0,2 µV/°C Drift, 10 MHz GBW, 20 V/µS SR, 1,1 kHz 1/f Rauschen, RRO CMOS-Eingang, 2,2 nA Ib, SOIC-8-Gehäuse usine

OPA192IDR Präzisions-Operationsverstärker mit 25 µV Offset, 0,2 µV/°C Drift, 10 MHz GBW, 20 V/µS SR, 1,1 kHz 1/f Rauschen, RRO CMOS-Eingang, 2,2 nA Ib, SOIC-8-Gehäuse

OPA192IDR Präzisionsop-Amp mit 25μV Offset 0,2μV/°C Drift 10MHz GBW 20V/μS SR 1,1kHz 1/f Rauschen RRO CMOS Eingang 2.2nA Ib SOIC-8 Paket Eigenschaften • Niedrigversetzungsspannung: ±5 μV 1 • Niedrigverschiebung... Lesen Sie weiter
2025-09-09 17:33:36
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