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Komponenten der integrierten Schaltung

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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Komponenten der integrierten Schaltung

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CHINA IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET mit ultra-niedrigem 4,5 mΩ Rds(on) TO-220 Gehäuse Logic-Level-Ansteuerung Lawinenfestigkeit Schnelles Schalten Hoher Wirkungsgrad Robustes Design für Motorsteuerung and Stromversorgungssysteme usine

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET mit ultra-niedrigem 4,5 mΩ Rds(on) TO-220 Gehäuse Logic-Level-Ansteuerung Lawinenfestigkeit Schnelles Schalten Hoher Wirkungsgrad Robustes Design für Motorsteuerung and Stromversorgungssysteme

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET mit ultra-niedrigem 4.5mΩ Rds ((on) TO-220 Paket Logik-Level-Antrieb Avalanche Rated Fast Switching Hohe Effizienz Robustes Design für Motorsteuerung and Power-Systeme Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:36
CHINA IRFB260NPBF N-Kanal MOSFET 200V 46A Ultra-Low 19mΩ Rds ((on) TO-220 Paket Logikstufe Schnellschalten Hohe Robustheit Lawine Ratifiziert für Motor und Leistungskonvertierung usine

IRFB260NPBF N-Kanal MOSFET 200V 46A Ultra-Low 19mΩ Rds ((on) TO-220 Paket Logikstufe Schnellschalten Hohe Robustheit Lawine Ratifiziert für Motor und Leistungskonvertierung

IRFB260NPBF N-Kanal MOSFET 200V 46A Ultra-Low 19mandOmega; Rds(on) TO-220 Gehäuse Logic Level Schnelles Schalten Hohe Robustheit Lawinenfest für Motor- und Leistungsumwandlung andnbsp; Eigenschaften 1... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:33
CHINA INA139NA/3K High-Side-Current-Shunt-Monitor Eigenschaften Hochaugenauigkeit Breite 2,7-36V Versorgung Niedrig 90μV Offset +85°C Bewertungsgrad Fest 3k Verstärkung SC70 Paket Bidirektionale Bedienung und ausgezeichnete Gleichstromleistung usine

INA139NA/3K High-Side-Current-Shunt-Monitor Eigenschaften Hochaugenauigkeit Breite 2,7-36V Versorgung Niedrig 90μV Offset +85°C Bewertungsgrad Fest 3k Verstärkung SC70 Paket Bidirektionale Bedienung und ausgezeichnete Gleichstromleistung

INA139NA/3K High-Side Current Shunt Monitor Merkmale Hohe Genauigkeit Breiter 2,7-36V Versorgung Niedriger 90andmicro;V Offset +85anddeg;C Bewertung Fester 3k Verstärkung SC70 Gehäuse Bidirektionaler Betrieb ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:30
CHINA EPCS16SI8N 16Mb Serien-Flash-Low-Power-High-Speed 100MHz Einzel 3,0V Versorgung Kleine Formfaktor FPGA-Konfigurator Zuverlässiger und sicherer Datenspeicher usine

EPCS16SI8N 16Mb Serien-Flash-Low-Power-High-Speed 100MHz Einzel 3,0V Versorgung Kleine Formfaktor FPGA-Konfigurator Zuverlässiger und sicherer Datenspeicher

EPCS16SI8N 16Mb Serien-Flash-Low-Power-High-Speed 100MHz Einzel 3,0V Versorgung Kleine Formfaktor FPGA-Konfigurator Zuverlässiger und sicherer Datenspeicher Eigenschaften ■ 1- und 4-Mbit-Flashspeichergeräte, ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:27
CHINA DAC161P997CISQ/NOPB 16-Bit programmierbarer schleifengespeister 4-20mA DAC Hochpräzision Niedrigleistung Digitale Kalibrierung HART-kompatibel Robust ±40V Fehlerschutz Industrieroboter-Automatisierungslösung usine

DAC161P997CISQ/NOPB 16-Bit programmierbarer schleifengespeister 4-20mA DAC Hochpräzision Niedrigleistung Digitale Kalibrierung HART-kompatibel Robust ±40V Fehlerschutz Industrieroboter-Automatisierungslösung

DAC161P997CISQ/NOPB 16-Bit Programmierbare Schleife 4-20mA DAC Hochgenauigkeit Niedrige Leistung Digitale Kalibrierung HART Kompatibel Robust ±40V Fehlersicherung Industrieautomationslösung Eigenschaften 16-Bit... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:24
CHINA BZX84C15LT3G 15V Zener SOT-23 225mW Niedrigleckstrom Hohe Stabilität Überspannungsschutz Halogenfreies Band und Spulenverpackung Ideal für platzbeschränkte PCBs usine

BZX84C15LT3G 15V Zener SOT-23 225mW Niedrigleckstrom Hohe Stabilität Überspannungsschutz Halogenfreies Band und Spulenverpackung Ideal für platzbeschränkte PCBs

BZX84C15LT3G 15V Zener SOT-23 225mW Geringer Leckstrom Hohe Stabilität Überspannungsschutz Halogenfrei Tape and Reel Verpackung Ideal für platzbeschränkte PCBs andnbsp; Eigenschaften andbull; 250 mW Nennleistun... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:21
CHINA BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz usine

BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz

BSS123LT1G N-Kanal MOSFET Low 170mandOmega; RDS(on) 20V VDS 100V Avalanche-bewertet Ideal für das Schalten von Lasten mit geringer Leistung und DC-DC-Wandlung mit seinem SOT-23-Gehäuse und ESD-Schutz andnbsp; ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:18
CHINA BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal Logikpegel MOSFET 60V 2,5A SOT-23 Gehäuse Ultra-Niedrig 85mΩ Rds(on) 4V Vgs(th) Schnelles Schalten 100% Rg getestet RoHS-konform AEC-Q101 qualifiziert usine

BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal Logikpegel MOSFET 60V 2,5A SOT-23 Gehäuse Ultra-Niedrig 85mΩ Rds(on) 4V Vgs(th) Schnelles Schalten 100% Rg getestet RoHS-konform AEC-Q101 qualifiziert

BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal Logic Level MOSFET 60V 2,5A SOT-23 Gehäuse Ultra-Low 85mandOmega; Rds(on) 4V Vgs(th) Schnelles Schalten 100% Rg getestet RoHS-konform AEC-Q101 qualifiziert andnbsp; Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:15
CHINA BC856B PNP-Transistor für allgemeine Zwecke 65V 100mA SOT-23-Gehäuse Rauscharm Hoher Stromverstärkung 200-450 250MHz Frequenz Komplementär zu BC846B, RoHS-konform Gurt und Spule usine

BC856B PNP-Transistor für allgemeine Zwecke 65V 100mA SOT-23-Gehäuse Rauscharm Hoher Stromverstärkung 200-450 250MHz Frequenz Komplementär zu BC846B, RoHS-konform Gurt und Spule

BC856B PNP Allzwecktransistor 65V 100mA SOT-23 Gehäuse, rauscharm, hoher Stromverstärkung 200-450, 250MHz Frequenz, komplementär zu BC846B, RoHS-konform, Tape and Reel andnbsp; Eigenschaften Allzweck Drei ... Lesen Sie weiter
2025-09-18 17:59:12
CHINA TLV2374IDR Quad RRIO Op Amp with 3MHz GBW 2.4V/µs Slew Rate 2.7-16V Supply Low Noise (19nV/√Hz) Low IQ (950µA/ch) High Drive SOIC-14 -40°C to 125°C for Precision Applications usine

TLV2374IDR Quad RRIO Op Amp with 3MHz GBW 2.4V/µs Slew Rate 2.7-16V Supply Low Noise (19nV/√Hz) Low IQ (950µA/ch) High Drive SOIC-14 -40°C to 125°C for Precision Applications

TLV2374IDR Quad RRIO Op Amp with 3MHz GBW 2.4V/andmicro;s Slew Rate 2.7-16V Supply Low Noise (19nV/andradic;Hz) Low IQ (950andmicro;A/ch) High Drive SOIC-14 -40anddeg;C to 125anddeg;C for Precision Applications ... Lesen Sie weiter
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