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IGBT-Leistungsmodul

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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IGBT-Leistungsmodul

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CHINA FF400R06KE3HOSA1 600 V 400 A IGBT-Halbbrückenmodul, Trench-Stop-Technologie, niedrige VCEsat, schnelles Schalten, robust für Wechselrichter und Antriebe Fabrik

FF400R06KE3HOSA1 600 V 400 A IGBT-Halbbrückenmodul, Trench-Stop-Technologie, niedrige VCEsat, schnelles Schalten, robust für Wechselrichter und Antriebe

FF400R06KE3HOSA1 600 V 400 A IGBT-Halbbrückenmodul, Trench-Stop-Technologie, niedrige VCEsat, schnelles Schalten, robust für Wechselrichter und Antriebe Merkmale Halbbrückentopologie– Zwei IGBTs mit antiparalle... Lesen Sie weiter
2026-05-19 17:45:21
CHINA FF400R06KE3HOSA1 IGBT-Modul 600 V 400 A Halbbrücken-Trennstopp-Technologie mit niedrigem VCE und hoher Geschwindigkeit in Industriequalität Fabrik

FF400R06KE3HOSA1 IGBT-Modul 600 V 400 A Halbbrücken-Trennstopp-Technologie mit niedrigem VCE und hoher Geschwindigkeit in Industriequalität

FF400R06KE3HOSA1 IGBT-Modul 600V 400A Halbbrücken-Gräbenstop-Technologie mit niedrigem VCEsat Eigenschaften 600V Sammler-Sender Spannung (Vces)- geeignet für 400-Volt-Wechselstromantriebe und Leistungsumwandlun... Lesen Sie weiter
2026-05-19 17:45:07
CHINA TT120N16SOFHPSA1 SCR-Modul 1600V Vdrm 120A Itav Druckkontakt Hochspannung Niedrigverlust industrieller Qualität für die Leistungssteuerung Fabrik

TT120N16SOFHPSA1 SCR-Modul 1600V Vdrm 120A Itav Druckkontakt Hochspannung Niedrigverlust industrieller Qualität für die Leistungssteuerung

TT120N16SOFHPSA1 SCR-Modul 1600V Vdrm 120A Itav Druckkontakt Hochspannung Niedrigverlust industrieller Qualität für die Leistungssteuerung Eigenschaften 1600 V wiederholte Spitzenspannung außerhalb des Zustands ... Lesen Sie weiter
2026-05-19 17:45:04
CHINA SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD Alum Elektrolytik 200V Nennwert 105°C niedrige Impedanz lange Lebensdauer hohe Wellenwirkung -40 bis +105°C für Leistung und LED Fabrik

SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD Alum Elektrolytik 200V Nennwert 105°C niedrige Impedanz lange Lebensdauer hohe Wellenwirkung -40 bis +105°C für Leistung und LED

SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD Aluminium-Elektrolytkondensator 200V Nennspannung 105°C geringer Impedanz lange Lebensdauer hohe Welligkeit -40 bis +105°C für Stromversorgung und LED Merkmale SMD Aluminium-Elektrolytk... Lesen Sie weiter
2026-05-09 16:23:49
CHINA TT600N16KOF 1600V 600A Dual Thyristor Modul Niedrig VF 1.32V Hochspannung 21kA Druckkontakttechnologie Isolierte Basisplatte Gräben Tor UL Zertifiziert für weiche Starter und Berichterstatter Fabrik

TT600N16KOF 1600V 600A Dual Thyristor Modul Niedrig VF 1.32V Hochspannung 21kA Druckkontakttechnologie Isolierte Basisplatte Gräben Tor UL Zertifiziert für weiche Starter und Berichterstatter

TT600N16KOF 1600V 600A Dual Thyristor Modul Niedrig VF 1.32V Hochspannung 21kA Druckkontakttechnologie Isolierte Basisplatte Gräben Tor UL Zertifiziert für weiche Starter und Berichterstatter Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2026-04-10 18:08:20
CHINA SKM400GB12T4 1200V 400A Dual IGBT-Modul TRENCHSTOP™ IGBT4 Niedrige VCE(sat) 1.75V 10μs SC-Fähigkeit CAL-Diode Niedrige Schaltverluste SEMITRANS3 UL-zertifiziert für Hochleistungsantriebe Fabrik

SKM400GB12T4 1200V 400A Dual IGBT-Modul TRENCHSTOP™ IGBT4 Niedrige VCE(sat) 1.75V 10μs SC-Fähigkeit CAL-Diode Niedrige Schaltverluste SEMITRANS3 UL-zertifiziert für Hochleistungsantriebe

SKM400GB12T4 1200V 400A Dual IGBT Modul TRENCHSTOPTM IGBT4 Niedrigspannung ((sat) 1.75V 10μs SC Kapazität CAL Diode Niedrige Schaltverluste SEMITRANS3 UL Zertifiziert für Hochleistungsantriebe Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2026-04-10 18:08:16
CHINA SKM75GB128DN 1200V, 75A Dual IGBT Modul Niedrig-VCE (sat) 1,9V Schnellschaltanlage Integrierte Diode 10μs SC Kapazität SEMITOP2 Paket Press-Fit Pins UL-zertifiziert für Antriebe und Inverter Fabrik

SKM75GB128DN 1200V, 75A Dual IGBT Modul Niedrig-VCE (sat) 1,9V Schnellschaltanlage Integrierte Diode 10μs SC Kapazität SEMITOP2 Paket Press-Fit Pins UL-zertifiziert für Antriebe und Inverter

SKM75GB128DN 1200V, 75A Dual IGBT Modul Niedrig-VCE (sat) 1,9V Schnellschaltanlage Integrierte Diode 10μs SC Kapazität SEMITOP2 Paket Press-Fit Pins UL-zertifiziert für Antriebe und Inverter Eigenschaften 1200 ... Lesen Sie weiter
2026-04-10 18:08:13
CHINA SKKH570/18E 1800V 570A Thyristor-Diode-Modul, doppelt seriell, verstärktes Gate, niedrige VF 1,44V, 19kA Stoßstrom, AlN-Keramiksockel, Druckkontakte, UL-zertifiziert für Sanftanlasser Fabrik

SKKH570/18E 1800V 570A Thyristor-Diode-Modul, doppelt seriell, verstärktes Gate, niedrige VF 1,44V, 19kA Stoßstrom, AlN-Keramiksockel, Druckkontakte, UL-zertifiziert für Sanftanlasser

SKKH570/18E 1800V 570A Thyristor-Diodenmodul Dual-Serie Verstärker Tor Niedrig VF 1.44V, 19kA Überspannung AlN Keramische Grunddruckkontakte UL-zertifiziert für weiche Starter Eigenschaften 1800 V wiederholte ... Lesen Sie weiter
2026-03-23 17:35:00
CHINA SKKE600/16 1600V 600A Einzeldiodenmodul Ultra-Low VF 1.5V Hochspannungstrom 22kA SEMIPACK4 Isolierte Basis Ausgezeichnete Wärmeübertragung Hohe Zuverlässigkeit UL-zertifiziert für Berichterstatter und Schweißen Fabrik

SKKE600/16 1600V 600A Einzeldiodenmodul Ultra-Low VF 1.5V Hochspannungstrom 22kA SEMIPACK4 Isolierte Basis Ausgezeichnete Wärmeübertragung Hohe Zuverlässigkeit UL-zertifiziert für Berichterstatter und Schweißen

SKKE600/16 1600V 600A Einzel-Diodenmodul Ultra-Low VF 1,5V Hoher Stoßstrom 22kA SEMIPACK4 Isolierte Basis Exzellente Wärmeübertragung Hohe Zuverlässigkeit UL-zertifiziert für Gleichrichter und Schweißanwendunge... Lesen Sie weiter
2026-03-23 17:34:56
CHINA SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT Modul 3-Phasen-Brücke Boost Chopper Integrierte NTC Hochspannungsstrom 950A SEMIPONT6 Paket Press-In Pin UL zertifiziert für UPS und Antriebe Fabrik

SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT Modul 3-Phasen-Brücke Boost Chopper Integrierte NTC Hochspannungsstrom 950A SEMIPONT6 Paket Press-In Pin UL zertifiziert für UPS und Antriebe

SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT-Modul 3-Phasen-Brücke Boost-Chopper Integriertes NTC Hoher Stoßstrom 950A SEMIPONT6 Gehäuse Press-Fit-Pin UL-zertifiziert für USV und Antriebe Merkmale 1600V Sperrspannung mit ... Lesen Sie weiter
2026-03-23 17:34:53
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