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IGBT-Leistungsmodul

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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IGBT-Leistungsmodul

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CHINA SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters usine

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters Features Compact Design One screw mounting Heat ... Lesen Sie weiter
2025-12-02 15:01:12
CHINA SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters usine

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters Features 1600V / 450A High-Power Rating Half... Lesen Sie weiter
2025-12-02 14:08:35
CHINA NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 3,3mΩ Schnellschalten Hohe Frequenz Niedrige Verluste Hohe Leistungsdichte Industrielle Qualität Für PV-Inverter und Motorantriebe usine

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 3,3mΩ Schnellschalten Hohe Frequenz Niedrige Verluste Hohe Leistungsdichte Industrielle Qualität Für PV-Inverter und Motorantriebe

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Low Rds(on) 3,3mΩ Schnelles Schalten Hohe Frequenz Geringe Verluste Hohe Leistungsdichte Industriequalität Für PV-Wechselrichter und Motorantriebe Merkmale Abmessungen ... Lesen Sie weiter
2025-12-01 16:47:20
CHINA NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe usine

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET-Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe Eigenschaften Abmessungen ... Lesen Sie weiter
2025-12-01 14:02:19
CHINA NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe usine

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe Eigenschaften Bei der Verwendung von VDS-Systemen wird ... Lesen Sie weiter
2025-11-27 14:54:51
CHINA MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrückenmodul Niedriger Rds(on) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Hochtemperatur-Betrieb Geringer Verlust Industriequalität Für PV & USV usine

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrückenmodul Niedriger Rds(on) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Hochtemperatur-Betrieb Geringer Verlust Industriequalität Für PV & USV

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrücke Modul Niedrig Rds ((on) Schnellschalten Hohe Frequenz Hohe Temperatur Betrieb Niedrige Verluste Industrielle Qualität Für PV & UPS Eigenschaften □ IGBT CHIP ((Trench... Lesen Sie weiter
2025-11-27 14:14:21
CHINA MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET-Leistungsmodul 400V Niedrige Rds ((on) 1.6mΩ Hohe Effizienz Hochgeschwindigkeitsschalter Flüssigkeit zur Kühlung von Fahrzeugen für xEV-Traktionsumrichter usine

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET-Leistungsmodul 400V Niedrige Rds ((on) 1.6mΩ Hohe Effizienz Hochgeschwindigkeitsschalter Flüssigkeit zur Kühlung von Fahrzeugen für xEV-Traktionsumrichter

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET-Leistungsmodul 400V Niedrige Rds ((on) 1.6mΩ Hohe Effizienz Hochgeschwindigkeitsschalter Flüssigkeit zur Kühlung von Fahrzeugen für xEV-Traktionsumrichter Eigenschaften Ultraschne... Lesen Sie weiter
2025-11-26 17:17:38
CHINA IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket usine

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket Eigenschaften Internationales Standardpaket mit einer Breite von mehr ... Lesen Sie weiter
2025-11-26 16:52:34
CHINA FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Geringe Vce(sat) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Robuste SOA Für Industrieantriebe und USV usine

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Geringe Vce(sat) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Robuste SOA Für Industrieantriebe und USV

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltung Hohe Frequenz Robuste SOA Für industrielle Antriebe und UPS Eigenschaften Vergrößerte Diode für den ... Lesen Sie weiter
2025-11-25 18:11:38
CHINA FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltfrequenz Hohe Frequenz Robuste SOA Industrielle Qualität für UPS und Solar usine

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltfrequenz Hohe Frequenz Robuste SOA Industrielle Qualität für UPS und Solar

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltfrequenz Hohe Frequenz Robuste SOA Industrielle Qualität für UPS und Solar Eigenschaften 4 kV Wechselstrom 1min ... Lesen Sie weiter
2025-11-25 16:29:18
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