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SPITZE ist ein professioneller Verteiler der elektronischen Bauelemente in China.

wir bieten one-stop Lösungsservice, von den Kommunikationsmodulen, von den Antennen, von PWB, von PCBA und von allen Komponenten für PWB Bom an.

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CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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Ausgezeichnetes Produkt, gute Qualität, konkurrenzfähiger Preis, freiberufliche Dienstleistung, mit 10 Jahren Zusammenarbeit, jetzt werden wir gute Freunde.

—— Ronald-Von Boilvia

Es ist sehr froh, SPITZE als unser Partner in China zu finden, hier können wir das beste Produkt erhalten und serice, setzen sie immer den Kunden auf dem erster Platz.

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CHINA FF400R06KE3HOSA1 600 V 400 A IGBT-Halbbrückenmodul, Trench-Stop-Technologie, niedrige VCEsat, schnelles Schalten, robust für Wechselrichter und Antriebe distributeur
FF400R06KE3HOSA1 600 V 400 A IGBT-Halbbrückenmodul, Trench-Stop-Technologie, niedrige VCEsat, schnelles Schalten, robust für Wechselrichter und Antriebe

IGBT-Leistungsmodul

(91)
CHINA FF75R12RT4 1200V 75A IGBT-Modul Niedrig Vce (sat) Hohe Kurzschluss Robustheit Niedriger Schaltverlust Hohe Isolierung Für industrielle Antriebe und UPS-Inverter Fabrik

FF75R12RT4 1200V 75A IGBT-Modul Niedrig Vce (sat) Hohe Kurzschluss Robustheit Niedriger Schaltverlust Hohe Isolierung Für industrielle Antriebe und UPS-Inverter
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FF75R12RT4 1200V 75A IGBT-Modul Low Vce(sat) Hohe Kurzschlussfestigkeit Geringe Schaltverluste Hohe Isolation Für Industrieantriebe und USV-Wechselrichter Eigenschaften Standard-Leistungsdaten: 1200V / 75A Low ... Lesen Sie weiter
2025-12-19 17:44:45
CHINA SK70KQ16 1600V 70A Schnell IGBT-Modul Niedrig Vce (sat) 2.3V Schnell abschalten Weicher Erholungsdiode Hohe Temperatur 150°C Niedriger Verlust Hohe Leistungsdichte Für kompakte UPS und Inverter Fabrik

SK70KQ16 1600V 70A Schnell IGBT-Modul Niedrig Vce (sat) 2.3V Schnell abschalten Weicher Erholungsdiode Hohe Temperatur 150°C Niedriger Verlust Hohe Leistungsdichte Für kompakte UPS und Inverter
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SK70KQ16 1600V 70A Schnell IGBT-Modul Niedrig Vce (sat) 2.3V Schnell abschalten Weicher Erholungsdiode Hohe Temperatur 150°C Niedriger Verlust Hohe Leistungsdichte Für kompakte UPS und Inverter Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:15
CHINA SEMIX341D16S 1600 V 450 A IGBT-Halbbrückenmodul Low Vce(sat), schnell schaltende Soft-Recovery-Diode, hohe Temperatur, 175 °C, verlustarm, Industriequalität für USV und Solarwechselrichter Fabrik

SEMIX341D16S 1600 V 450 A IGBT-Halbbrückenmodul Low Vce(sat), schnell schaltende Soft-Recovery-Diode, hohe Temperatur, 175 °C, verlustarm, Industriequalität für USV und Solarwechselrichter
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SEMIX341D16S 1600 V 450 A IGBT-Halbbrückenmodul Low Vce(sat), schnell schaltende Soft-Recovery-Diode, hohe Temperatur, 175 °C, verlustarm, Industriequalität für USV und Solarwechselrichter Merkmale 1600 V/450 A ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:12
CHINA NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 3,3mΩ Schnellschalten Hohe Frequenz Niedrige Verluste Hohe Leistungsdichte Industrielle Qualität Für PV-Inverter und Motorantriebe Fabrik

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 3,3mΩ Schnellschalten Hohe Frequenz Niedrige Verluste Hohe Leistungsdichte Industrielle Qualität Für PV-Inverter und Motorantriebe
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NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Low Rds(on) 3,3mΩ Schnelles Schalten Hohe Frequenz Geringe Verluste Hohe Leistungsdichte Industriequalität Für PV-Wechselrichter und Motorantriebe Merkmale Abmessungen ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:09
CHINA NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe Fabrik

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe
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NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET-Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe Eigenschaften Abmessungen ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:07
CHINA NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe Fabrik

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe
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NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe Eigenschaften Bei der Verwendung von VDS-Systemen wird ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:04
CHINA MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrückenmodul Niedriger Rds(on) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Hochtemperatur-Betrieb Geringer Verlust Industriequalität Für PV & USV Fabrik

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrückenmodul Niedriger Rds(on) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Hochtemperatur-Betrieb Geringer Verlust Industriequalität Für PV & USV
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MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrücke Modul Niedrig Rds ((on) Schnellschalten Hohe Frequenz Hohe Temperatur Betrieb Niedrige Verluste Industrielle Qualität Für PV & UPS Eigenschaften □ IGBT CHIP ((Trench... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:02
CHINA MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET-Leistungsmodul 400V Niedrige Rds ((on) 1.6mΩ Hohe Effizienz Hochgeschwindigkeitsschalter Flüssigkeit zur Kühlung von Fahrzeugen für xEV-Traktionsumrichter Fabrik

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET-Leistungsmodul 400V Niedrige Rds ((on) 1.6mΩ Hohe Effizienz Hochgeschwindigkeitsschalter Flüssigkeit zur Kühlung von Fahrzeugen für xEV-Traktionsumrichter
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MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET-Leistungsmodul 400V Niedrige Rds ((on) 1.6mΩ Hohe Effizienz Hochgeschwindigkeitsschalter Flüssigkeit zur Kühlung von Fahrzeugen für xEV-Traktionsumrichter Eigenschaften Ultraschne... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:24:59
CHINA IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket Fabrik

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket
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IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds(on) 65mΩ Schnelles Schalten Hochfrequenz Robuste Body-Diode Hochtemperatur-Betrieb TO-264 Gehäuse Eigenschaften Internationales Standardgehäuse miniBLOC, mit Aluminiumnitr... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:24:57
CHINA FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Geringe Vce(sat) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Robuste SOA Für Industrieantriebe und USV Fabrik

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Geringe Vce(sat) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Robuste SOA Für Industrieantriebe und USV
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FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltung Hohe Frequenz Robuste SOA Für industrielle Antriebe und UPS Eigenschaften Vergrößerte Diode für den ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:24:53
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natasha007007
4G 5G-Modul

Zelluläres Modul G/M der hohen Geschwindigkeit Modul-4G LTE für Fräser, Netbooks

Langstrecken-RF 4G LTE Cat 6 Modul EM7430 hauptsächlich für Asien-Pazifik MDM9230 Chipset

Modul MC7430 MDM9230 4G LTE

Chipset 4G Qualcomms MDM9230 bettete drahtlose Module MC7455 USB 3,0 ein

Komponenten der integrierten Schaltung

280756-4 4-Position 2,5mm Raster Buchse Crimpgehäuse mit Friktionsverriegelung, Panel Mount, UL 94V-0, polarisiert, 4,5A Nennstrom für Stromverteilung und Industriesteuerungen

280389-2 2-Position 2,5mm Raster Buchsenleiste Vertikal Durchsteckmontage Geschirmt Polarisiert UL 94V-0 Verzinnte für Automobil- und Industrieanwendungen

SM4004PL-TP 400V 1A Allzweckdiode Niedrige VF 1,1V Geringer Leckstrom 5µA Hoher Stoßstrom 30A SOD-123FL -65°C bis 175°C RoHS-konform für Netzteile und LED-Beleuchtung

High-Gain-Gps-Antenne

Gewinn SMA-/SMB-/BNC Verbindungsstück GPSs Außenantenne-HI für Fahrzeug-System

Hochleistungs-hohe Gewinn GPS-Antenne für Handy TOP-GPS-AI08

Optimaler Zusammenhang-hoher Gewinn 50 Ohm-Antenne mit Schraubbefestigung

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