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IGBT-Leistungsmodul

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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IGBT-Leistungsmodul

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CHINA NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 3,3mΩ Schnellschalten Hohe Frequenz Niedrige Verluste Hohe Leistungsdichte Industrielle Qualität Für PV-Inverter und Motorantriebe usine

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NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modul Low Rds(on) 3,3mΩ Schnelles Schalten Hohe Frequenz Geringe Verluste Hohe Leistungsdichte Industriequalität Für PV-Wechselrichter und Motorantriebe Merkmale Abmessungen ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:09
CHINA NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe usine

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET-Modul Niedrig Rds ((on) 11mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Hohe Temperatur 175°C Niedrigverlust Industrielle Qualität Für Solar- und Industrieantriebe Eigenschaften Abmessungen ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:07
CHINA NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe usine

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Schnelle Schaltung Hochfrequenz Hohe Effizienz Robuste Leistung TO-247 Paket für Server SMPS & Motorantriebe Eigenschaften Bei der Verwendung von VDS-Systemen wird ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:04
CHINA MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrückenmodul Niedriger Rds(on) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Hochtemperatur-Betrieb Geringer Verlust Industriequalität Für PV & USV usine

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrückenmodul Niedriger Rds(on) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Hochtemperatur-Betrieb Geringer Verlust Industriequalität Für PV & USV

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Halbbrücke Modul Niedrig Rds ((on) Schnellschalten Hohe Frequenz Hohe Temperatur Betrieb Niedrige Verluste Industrielle Qualität Für PV & UPS Eigenschaften □ IGBT CHIP ((Trench... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:25:02
CHINA MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET-Leistungsmodul 400V Niedrige Rds ((on) 1.6mΩ Hohe Effizienz Hochgeschwindigkeitsschalter Flüssigkeit zur Kühlung von Fahrzeugen für xEV-Traktionsumrichter usine

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2025-12-18 18:24:59
CHINA IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket usine

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds(on) 65mΩ Schnelles Schalten Hochfrequenz Robuste Body-Diode Hochtemperatur-Betrieb TO-264 Gehäuse Eigenschaften Internationales Standardgehäuse miniBLOC, mit Aluminiumnitr... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:24:57
CHINA FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Geringe Vce(sat) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Robuste SOA Für Industrieantriebe und USV usine

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Geringe Vce(sat) Schnelles Schalten Hohe Frequenz Robuste SOA Für Industrieantriebe und USV

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT-Modul Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltung Hohe Frequenz Robuste SOA Für industrielle Antriebe und UPS Eigenschaften Vergrößerte Diode für den ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:24:53
CHINA FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltfrequenz Hohe Frequenz Robuste SOA Industrielle Qualität für UPS und Solar usine

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltfrequenz Hohe Frequenz Robuste SOA Industrielle Qualität für UPS und Solar

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Hohe Leistungsdichte Niedrige Vce (sat) Schnelle Schaltfrequenz Hohe Frequenz Robuste SOA Industrielle Qualität für UPS und Solar Eigenschaften 4 kV Wechselstrom 1min ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:24:48
CHINA FZ600R12KE4HOSA1 1200V/600A IGBT-Modul Niedrig-VCE (sat) Hochgeschwindigkeitsschalter Niedrigverlust Press-Fit-Pins Isolierte Basisplatte NTC-Sensor Industrielle Qualität für schwere Antriebe und Windwandler usine

FZ600R12KE4HOSA1 1200V/600A IGBT-Modul Niedrig-VCE (sat) Hochgeschwindigkeitsschalter Niedrigverlust Press-Fit-Pins Isolierte Basisplatte NTC-Sensor Industrielle Qualität für schwere Antriebe und Windwandler

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2025-12-18 18:24:44
CHINA FF100R12RT4 1200V/100A 3-in-1 IGBT-Modul Integrierte Bremsschütze Niedrig VCE (sat) Hochgeschwindigkeitsschalterung Niedrigverlust Eingebaute NTC isolierte Basisplatte für industrielle Antriebe & UPS-Systeme usine

FF100R12RT4 1200V/100A 3-in-1 IGBT-Modul Integrierte Bremsschütze Niedrig VCE (sat) Hochgeschwindigkeitsschalterung Niedrigverlust Eingebaute NTC isolierte Basisplatte für industrielle Antriebe & UPS-Systeme

FF100R12RT4 1200V/100A 3-in-1 IGBT-Modul Integrierte Bremsschütze Niedrig VCE (sat) Hochgeschwindigkeitsschalterung Niedrigverlust Eingebaute NTC isolierte Basisplatte für industrielle Antriebe & UPS-Systeme ... Lesen Sie weiter
2025-12-18 18:24:41
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