CM600DY-24T 1200V 600A Dual IGBT-Modul Niedrige VCE(sat) 2,7V Hohe Kurzschlussfestigkeit Geringe Schaltverluste Hohe Isolation Für Industrielle Motorantriebe und Hochleistungs-USV

CM600DY-24T 1200V 600A Dual IGBT-Modul Low VCE(sat) 2,7V Hohe Kurzschlussfestigkeit Geringe Schaltverluste Hohe Isolation Für Industrielle Motorantriebe und Hochleistungs-USV

Eigenschaften

• Ultra-Hochleistungs-Dual-IGBT-Modul

• Spannungs-/Strom-Nennwert: 1200V / 600A

• Fortschrittliche IGBT- und Dioden-Chip-Technologie

• Sehr niedrige VCE(sat) (Extrem geringe Leitungsverluste)

• Geringe Schaltverluste

• Sehr hohe Kurzschlussfestigkeit (SCWT)

• Hohe Isolationsspannung

• Low-Induktivität-Gehäusedesign

• Integrierter Temperatursensor (NTC)

• Industriequalität Robustheit für kritische Anwendungen

Anwendungen 

• Schwere Industriemotorantriebe: Für sehr große Pumpen, Kompressoren, Walzwerke und Bergbauausrüstung.

• Hochleistungs-Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV): Für Mega-Rechenzentren und kritische industrielle Infrastruktur.

• Solarwechselrichter: Zentralwechselrichter für Photovoltaik-Kraftwerke im Versorgungsmaßstab.

• Stromwandlungssysteme (PCS) für groß angelegte Batteriespeicher (BESS).

• Hochleistungs-Schweiß- und Elektrolysegeräte.

Beschreibung

Das CM600DY-24T ist ein robustes Ultrahochstrom-Dual-IGBT-Modul, das für die anspruchsvollsten Stromwandlungsanwendungen im Megawattbereich in der Schwerindustrie entwickelt wurde. Es bietet eine hohe Nennspannung von 1200 V in Kombination mit einer außergewöhnlichen Strombelastbarkeit von 600 A. Durch den Einsatz der neuesten Generation der IGBT- und Freilaufdioden-Chip-Technologie erreicht dieses Modul ein optimales Gleichgewicht zwischen sehr niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) für minimale Leitungsverluste und optimierten Schalteigenschaften für einen hohen Gesamtwirkungsgrad. Es ist für ultimative industrielle Robustheit ausgelegt und zeichnet sich durch eine sehr hohe Kurzschlussfestigkeit, eine ausgezeichnete elektrische Isolation und ein Low-Induktivität-Gehäuse aus, um einen stabilen und zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen in Hochbelastungsumgebungen zu gewährleisten.

INFORMATIONEN

Zeichnung

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Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.