IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niedrig Rds ((on) 65mΩ Schnellschalten Hochfrequenz Robuste Körperdiode Hochtemperaturbetrieb TO-264 Paket

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds(on) 65mΩ Schnelles Schalten Hochfrequenz Robuste Body-Diode Hochtemperatur-Betrieb TO-264 Gehäuse

Eigenschaften

• Internationales Standardgehäuse

• miniBLOC, mit Aluminiumnitrid-Isolierung

• Niedriges RDS(on) und QG

• Lawinenfest

• Niedrige Gehäuseinduktivität

• Schneller intrinsischer Gleichrichter

Anwendungen

• Schalt- und Resonanz-Netzteile

• DC-DC-Wandler

• Lasertreiber

• AC- und DC-Motorantriebe

• Robotik und Servosteuerungen

Beschreibung

Der IXFN56N90P ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-Siliziumkarbid (SiC) MOSFET in einem TO-264-Gehäuse, der entwickelt wurde, um überlegene Effizienz und Leistung in anspruchsvollen Leistungsumwandlungssystemen zu liefern. Er nutzt die Vorteile der SiC-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Kombination aus einer Durchbruchspannung von 900 V und einem niedrigen Dauerstrom von 56 A. Sein sehr geringer Einschaltwiderstand (Rds(on)) von 65 mΩ minimiert die Verlustleistung, während die inhärenten Eigenschaften von SiC extrem schnelle Schaltgeschwindigkeiten mit geringen Verlusten ermöglichen und so den Betrieb bei hohen Frequenzen ermöglichen. Dies reduziert die Größe und die Kosten passiver Komponenten wie Magnete und Kondensatoren. Der MOSFET verfügt über eine robuste intrinsische Body-Diode mit ausgezeichneten Rückwärtswiederherstellungseigenschaften, was seine Zuverlässigkeit in Anwendungen mit hartem Schalten erhöht. Seine Hochtemperatur-Betriebsfähigkeit und das Industriestandardgehäuse machen ihn zu einer robusten und vielseitigen Lösung für moderne Leistungsdesigns.

INFORMATIONEN

Zeichnung

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Produktliste
Liefern Sie eine Reihe von elektronischen Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktiven und passiven Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu erhalten, kurz gesagt, Sie können hier eine Komplettlösung erhalten,


Die Angebote beinhalten:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer und Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Kristall und Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Konverter, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB-Baugruppe)

Stark in der Marke:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.