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STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control
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Großes Bild :  STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: STMicroelectronics
Zertifizierung: CE, GCF, ROHS
Modellnummer: STP55NF06FP
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Zuerst in Originalschale verpackt, dann Carton, endlich Bubble Bag für das äußere Verpacken
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage nach Erhalt der Zahlung
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Prozent pro Monat
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Funktion: Fortschreiten, Abschreiten Ausgabekonfiguration: Positiv oder negativ
Topologie: Buck, Boost Ausgangstyp: Einstellbar
Anzahl der Ausgänge: 1
Hervorheben:

N-Channel Power MOSFET 55A 60V

,

TO-220FP MOSFET low gate charge

,

Logic Level MOSFET high speed switching

STP55NF06FP 55A 60V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit andlt;0,02andOmega; RDS(on) TO-220FP Lawinenfest Logikpegel Hochgeschwindigkeits-Schaltung und geringer Gate-Ladung für effiziente Leistungsregelung

andnbsp;

Eigenschaften

1: Geringer Einschaltwiderstand (Low RDS(on)): Extrem niedriger maximaler Einschaltwiderstand von 0,02andOmega; (bei Vgs=10V), wodurch die Verlustleistung reduziert, der Wirkungsgrad verbessert und die Wärmeentwicklung minimiert wird.

2: Hohe Strombelastbarkeit: Kann bis zu 55A Dauer-Drain-Strom verarbeiten, mit noch höherer Impulsstrombelastbarkeit, wodurch es sich für Hochleistungsanwendungen eignet.

3: Logikpegel-Gate-Ansteuerung: Niedrige Schwellenspannung (Vgs(th) typischerweise 2V bis 4V), wodurch es direkt von 5V- oder 3,3V-Mikrocontrollern angesteuert werden kann (z. B. Arduino, STM32), ohne dass Pegelwandlerschaltungen erforderlich sind.

4: Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Optimiert für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, wie z. B. SMPS und PWM-Motorsteuerung, wodurch Schaltverluste reduziert werden.

5: Vollständig isoliertes Gehäuse (TO-220FP FullPak): Die TO-220FP-Kapselung umschließt den Metallkühlkörper vollständig und bietet verbesserte Isolierungandnbsp;und Sicherheit und vereinfacht gleichzeitig die Montage, indem zusätzliche Isolierpads überflüssig werden.

6: Hohe Spannungsfestigkeit: Drain-Source-Spannung (Vds) von 60V, bietet ausreichend Spielraum für 12V-, 24V- und höhere Spannungssysteme.

7: Robustes Design: Lawinenfest, gewährleistet die Haltbarkeit bei Energiespitzen durch induktives Lastschalten (z. B. Motoren, Relais).

8: Geringe Gate-Ladung (Qg): Geringe Gesamtgate-Ladung reduziert die Ansteueranforderungen und ermöglicht effizientes Hochgeschwindigkeitsschalten.

andnbsp;

Anwendungen

■ Schaltanwendung

andnbsp;

Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs wurden unter Verwendung des einzigartigen STripFET-Prozesses von STMicroelectronics entwickelt, der speziell darauf ausgelegt ist, die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Dies macht die Bauelemente für den Einsatz als Primärschalter in fortschrittlichen, hocheffizienten, isolierten DC-DC-Wandlern für Telekommunikations- und Computeranwendungen sowie für Anwendungen mit geringen Anforderungen an die Gate-Ladungsansteuerung geeignet.

andnbsp;

INFORMATIONEN

Kategorie
Hersteller
Serie
Verpackung
Rohr
Teilestatus
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25anddeg;C
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 27,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250andmicro;A
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
andplusmn;20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (Max)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55anddeg;C ~ 175anddeg;C (TJ)
Güte
-
Qualifizierung
-
Montageart
Durchsteckmontage
Gehäuse des Lieferantengeräts
TO-220FP
Gehäuse / Gehäuse
Basisproduktnummer

andnbsp;

Zeichnung

STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control 0

Unser Vorteil:Telefone, PDAs, Notebook-Computer

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Produktliste
Liefern Sie eine Reihe von elektronischen Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktiven und passiven Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu erhalten. Kurz gesagt, Sie können hier eine Komplettlösung erhalten,


Die Angebote beinhalten:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer und Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Kristall und Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Wandler, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)

Stark in der Marke:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.

Kontaktdaten
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Ansprechpartner: Mrs. Natasha

Telefon: 86-13723770752

Faxen: 86-755-82815220

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