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MMBTA92LT1G PNP-Transistor 300V VCEO 500mA Ic SOT-23 Hochspannung Niedrigsättigung Schnellschalter für Telekommunikation und Industrie

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AD7376ARUZ10-R7 128-Tap-Digipot 10k Ohm SPI ± 30% Toleranz Niedrigtemperatur-Nichtflüchtigkeitsspeicher TSSOP-16 für Trim und Einstellung

ADS8634SRGER 12-Bit ADC 4-ch 1MSPS SPI prog Eingang (±12V/0-10V) interne Ref 2,5V-5V VQFN-24 für Industrie

IRFP240 N-Kanal MOSFET 200V Vdss 20A Id 0,18Ohm Rds(on) schnelles Schalten TO-247 Gehäuse zuverlässig für Audio und Leistung

IRF5305PBF P-Kanal MOSFET -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds(on) schnelles Schalten Logikpegel Gate TO-220 Gehäuse

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(565)

Lm2576 Lm2576t-5.0V/3.3V/12V/Adj Neue Original-Integrierte Schaltung Lm2576t IC Chip Elektronische Komponenten
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LM2576-ADJ undbull; 3,3 V, 5,0 V, 12 V, 15 V und verstellbare Ausgangsversionen undbull; Verstellbare Ausgangsspannungsbereich von 1,23 V bis 37 V und mehrmn; 4% maximal über Leitungs- und Lastbedingungen ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:50

LM2670SD-ADJ Power Management (PMIC) 14 VDFN Exposed Pad Online-Kauf elektronischer Komponenten Original
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LM2670SD-ADJ 1 Merkmale * Wirkungsgrad bis zu 94% * Einfach und leicht zu entwerfen (unter Verwendung handelsüblicher externer Komponenten) * 150-mΩ DMOS-Ausgangsschalter * 3,3-V-, 5-V-, 12-V-Festausgangs- und ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:43

DSPIC33EP128GS806-E/PT IC MCU 16bit 128KB Flash 64TQFP
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DSPIC33EP128GS806-E/PT Betriebsbedingungen: 3,0V bis 3,6V, -40 und°C bis +85 und°C, DC bis 70 MIPS und Bull; 3,0V bis 3,6V, -40 und°C bis +125 und°C, DC bis 60 MIPS Flash-Architektur undbull; Dual Partition ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:37

STM8AF5288TC (IC für elektronische Komponenten, Chips und integrierte Schaltungen)
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STM8AF5288TC Kernfunktionen Verarbeitungsleistung für die Automobilindustrie STM8 Kern: Funktioniert bei bis zu 24 MHz und ermöglicht eine effiziente Ausführung von Anweisungen für Echtzeitsteuerungsaufgaben. ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:31

TPS62290TDRVRQ1 6 WDFN Power Management (PMIC) Exposed Pad Elektronische Schaltkreiskomponenten auf Lager
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TPS62290TDRVRQ1 andnbsp; 1 Merkmale 1 andbull; Qualifiziert für Automobilanwendungen andbull; Hocheffizienter Abwärtswandler andbull; Ausgangsstrom bis zu 1000 mA andbull; VIN-Bereich von 2,3 V bis 6 V andbull; ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:24

1N4148WS Neue und Original Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis
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1N4148WS Eigenschaften und Funktionsmerkmale;Dioden für allgemeine Zwecke und Funktionsmerkmale;Schnellschaltvorrichtung (TRR und lt; 4,0 ns) und Funktionsmerkmale; Sehr kleines und dünnes SMD-Paket und ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:18

BQ294701DSGR 2-Zellen-Li-Ionen-Schutzschaltung 1,5 µA Ultra-Low IQ ±25 mV Genauigkeit 2,5 V-5,5 V Gehäuse/Gehäuse 8-WFDFN Exposed Pad -40 °C bis +85 °C
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BQ294701DSGR undnbsp; Eigenschaften undbull; Zellenschutz gegen Überspannung der Serien 2, 3 und 4 undbull; externer Kondensator-programmierter Verzögerungs-Timer undbull; Fabrikprogrammierte OVP-Schwelle ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:11

DAC5578SPWR 8-Ch 8-Bit DAC I2C Schnittstelle 2,7-5,5 V, Niedrige Leistung 0,4 mA, ±1LSB INL TSSOP-16 -40 °C bis +105 °C
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DAC5578SPWR andnbsp; MERKMALE andbull; Relative Genauigkeit: 23andndash; DAC5578 (8 Bit): 0,25 LSB INLandndash; DAC6578 (10 Bit): 0,5 LSB INLandndash; DAC7578 (12 Bit): 1 LSB INL andbull; Glitch-Energie: 0,15 ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:52:04

IR2110PBF Integrierter Schaltkreis 600V High-Low-Treiber 2A Spitzenstrom 10V-20V Logik 500ns Anstiegszeit Gehäuse / Gehäuse 14-DIP (0.300", 7.62mm) -40°C bis +125°C
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IR2110PBF andnbsp; Eigenschaften andbull; Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt Voll funktionsfähig bis +500V oder +600V Unempfindlich gegen negative transiente Spannung dV/dt immun andbull; Gate... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:51:51

FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Ausdauer 151 Jahre Datenerhalt Keine Verzögerung beim Schreiben 3,6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C
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FM24CL64B-GTR andnbsp; Merkmale ■ 64-Kbit Ferroelektrischer Random-Access-Speicher (F-RAM), logisch organisiert als 8K undtimes; 8 ❐ Hohe Ausdauer: 100 Billionen (1014) Lese-/Schreibvorgänge ❐ 151 Jahre ... Lesen Sie weiter

2025-12-16 11:51:42

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