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Komponenten der integrierten Schaltung

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
Ausgezeichnetes Produkt, gute Qualität, konkurrenzfähiger Preis, freiberufliche Dienstleistung, mit 10 Jahren Zusammenarbeit, jetzt werden wir gute Freunde.

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Komponenten der integrierten Schaltung

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CHINA SN74ACT244DWR 3,3V/5V Octal-Puffer 24mA Ansteuerung SOIC-20 4,5ns Geschwindigkeit TTL-kompatibel -40°C bis +85°C usine

SN74ACT244DWR 3,3V/5V Octal-Puffer 24mA Ansteuerung SOIC-20 4,5ns Geschwindigkeit TTL-kompatibel -40°C bis +85°C

SN74ACT244DWR andnbsp; Eigenschaften andbull; 4,5V bis 5,5V VCC-Betrieb andbull; Eingänge akzeptieren Spannungen bis zu 5,5V andbull; Maximale tpd von 9,5 ns bei 5V andbull; Eingänge sind TTL-kompatibel andbull... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:36
CHINA SWPA4018S680MT 68μH Leistungsinduktor 4x4,8mm 3,2A Sättigungsstrom 90mΩ DCR, -40°C~+125°C Metalllegierungskern usine

SWPA4018S680MT 68μH Leistungsinduktor 4x4,8mm 3,2A Sättigungsstrom 90mΩ DCR, -40°C~+125°C Metalllegierungskern

SWPA4018S680MT andnbsp; MERKMALE Konstruktion mit magnetischem Harzschild reduziert Brummgeräusche auf ein extrem niedriges Niveau Metallisierung auf Ferritkern führt zu ausgezeichneter Stoßfestigkeit und besch... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:36
CHINA LQP03TN2N7B02D 2.7nH High-Q Induktor 0201 (0603 Metric) ±0.1nH Toleranz 100MHz-3GHz 0402 Fußabdruck -55°C bis +125°C usine

LQP03TN2N7B02D 2.7nH High-Q Induktor 0201 (0603 Metric) ±0.1nH Toleranz 100MHz-3GHz 0402 Fußabdruck -55°C bis +125°C

LQP03TN2N7B02D Beschreibung Besondere Anwendungen: • Energieausrüstung: Produkte, die in Energieausrüstung wie erneuerbaren Energiequellen eingesetzt werden können,Energiespeicher und Ladegeräte für Elektrofahr... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:36
CHINA NCP18XH103F03RB 10kΩ NTC-Thermistor, Baugröße 0603, ±1% Genauigkeit, -40°C bis +125°C, 100mW Leistung, AEC-Q200 usine

NCP18XH103F03RB 10kΩ NTC-Thermistor, Baugröße 0603, ±1% Genauigkeit, -40°C bis +125°C, 100mW Leistung, AEC-Q200

NCP18XH103F03RB andnbsp; Eigenschaften 1. Ausgezeichnete Lötbarkeit und hohe Stabilität in der Umgebung 2. Ausgezeichnete Langzeitstabilität 3. Hohe Genauigkeit bei Widerstand und B-Konstante 4. Fluss- / Reflow... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:36
CHINA BLM31PG601SN1L 600Ω Ferritperle 1206 Größe 3A Nennstrom Hohe Impedanz@100MHz AEC-Q200 -55°C bis +125°C usine

BLM31PG601SN1L 600Ω Ferritperle 1206 Größe 3A Nennstrom Hohe Impedanz@100MHz AEC-Q200 -55°C bis +125°C

BLM31PG601SN1L Beschreibung 1.1 Besondere Anwendungen: • Energieausrüstung: Produkte, die in Energieausrüstung wie erneuerbaren Energiequellen eingesetzt werden können,Energiespeicher und Ladegeräte für ... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:36
CHINA BLM15AG221SN1D 220Ω Ferritperle 0402 (1005 Metric) 1A Nennstrom Hohe Impedanz@100MHz, Weite Temperatur von -55°C bis +125°C AEC-Q200 usine

BLM15AG221SN1D 220Ω Ferritperle 0402 (1005 Metric) 1A Nennstrom Hohe Impedanz@100MHz, Weite Temperatur von -55°C bis +125°C AEC-Q200

BLM15AG221SN1D andnbsp; Beschreibung 1.1 Spezifische Anwendungen: andbull; Energieausrüstung: Produkte, die in Energieausrüstung wie Ausrüstung für erneuerbare Energien, Energiespeichergeräte und EV-Ladeausr... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:36
CHINA IR2110PBF Integrierter Schaltkreis 600V High-Low-Treiber 2A Spitzenstrom 10V-20V Logik 500ns Anstiegszeit Gehäuse / Gehäuse 14-DIP (0.300", 7.62mm) -40°C bis +125°C usine

IR2110PBF Integrierter Schaltkreis 600V High-Low-Treiber 2A Spitzenstrom 10V-20V Logik 500ns Anstiegszeit Gehäuse / Gehäuse 14-DIP (0.300", 7.62mm) -40°C bis +125°C

IR2110PBF Eigenschaften • Schwimmender Kanal für Bootstrap-Betrieb entwickelt Voll funktionsfähig bei +500V oder +600V Toleranz gegenüber negativer transienter Spannung dV/dt immun • Versorgungsbereich des ... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:35
CHINA FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Ausdauer 151 Jahre Datenerhalt Keine Verzögerung beim Schreiben 3,6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C usine

FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Ausdauer 151 Jahre Datenerhalt Keine Verzögerung beim Schreiben 3,6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR andnbsp; Eigenschaften ■ 64-Kbit-Ferroelektrizitäts-Random-Access-Memory (F-RAM), logisch organisiert als 8K andtimes; 8 ❐ Hohe Ausdauer: 100 Billionen (1014) Lese-/Schreibvorgänge ❐ 151 Jahre ... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:35
CHINA DAC5578SPWR 8-Ch 8-Bit DAC I2C Schnittstelle 2,7-5,5 V, Niedrige Leistung 0,4 mA, ±1LSB INL TSSOP-16 -40 °C bis +105 °C usine

DAC5578SPWR 8-Ch 8-Bit DAC I2C Schnittstelle 2,7-5,5 V, Niedrige Leistung 0,4 mA, ±1LSB INL TSSOP-16 -40 °C bis +105 °C

DAC5578SPWR andnbsp; MERKMALE andbull; Relative Genauigkeit: 23andndash; DAC5578 (8 Bit): 0,25 LSB INLandndash; DAC6578 (10 Bit): 0,5 LSB INLandndash; DAC7578 (12 Bit): 1 LSB INL andbull; Glitch-Energie: 0,15 ... Lesen Sie weiter
2025-06-20 09:54:35
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