FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Ausdauer 151 Jahre Datenerhalt Keine Verzögerung beim Schreiben 3,6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR

Eigenschaften

■ 64-Kbit-Ferroelektrizitäts-Random-Access-Memory (F-RAM), logisch organisiert als 8K × 8

❐ Hohe Ausdauer: 100 Billionen (1014) Lese-/Schreibvorgänge

❐ 151 Jahre Datenerhaltung (siehe Datenerhaltung und Ausdauer auf Seite 10)

❐ NoDelay™-Schreibvorgänge

❐ Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

■ Schnelle 2-Draht-Serielle Schnittstelle (I2C)

❐ Bis zu 1 MHz Frequenz

❐ Direkter Hardware-Ersatz für serielle (I2C) EEPROM

❐ Unterstützt Legacy-Timings für 100 kHz und 400 kHz

■ Geringer Stromverbrauch

❐ 100 A (typisch) aktiver Strom bei 100 kHz ❐ 3 A (typisch) Standby-Strom

■ Betriebsspannung: VDD = 2,7 V bis 3,65 V

■ Industrieller Temperaturbereich: –40 C bis +85 C

■ Gehäuse

❐ 8-poliges Small Outline Integrated Circuit (SOIC)-Gehäuse

❐ 8-poliges Thin Dual Flat No Leads (DFN)-Gehäuse

■ RoHS-konform (Restriction of Hazardous Substances)

Funktionsbeschreibung

Der FM24CL64B ist ein 64-Kbit-nichtflüchtiger Speicher, der einen fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess verwendet. Ein ferroelektrischer Random-Access-Memory oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Er bietet eine zuverlässige Datenerhaltung für 151 Jahre und eliminiert gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursacht werden.

Im Gegensatz zu EEPROM führt der FM24CL64B Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es treten keine Schreibverzögerungen auf. Daten werden unmittelbar nach der erfolgreichen Übertragung jedes Bytes an das Gerät in das Speicherarray geschrieben. Der nächste Buszyklus kann ohne Datenabfrage beginnen. Darüber hinaus bietet das Produkt eine erhebliche Schreibausdauer im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern. Außerdem weist F-RAM während des Schreibens einen viel geringeren Stromverbrauch auf als EEPROM, da Schreibvorgänge keine intern erhöhte Versorgungsspannung für die Schreibschaltungen erfordern. Der FM24CL64B kann 1014 Lese-/Schreibzyklen unterstützen, also 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM.

Diese Eigenschaften machen den FM24CL64B ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder schnelle Schreibvorgänge erfordern. Beispiele reichen von der Datenprotokollierung, bei der die Anzahl der Schreibzyklen kritisch sein kann, bis hin zu anspruchsvollen industriellen Steuerungen, bei denen die lange Schreibzeit von EEPROM zu Datenverlust führen kann. Die Kombination der Funktionen ermöglicht häufigeres Datenschreiben mit weniger Overhead für das System.

Informationen

Zeichnung

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