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Komponenten der integrierten Schaltung

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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Komponenten der integrierten Schaltung

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CHINA TLE2426IDR Präzisions-Virtual-Ground-Referenz-IC mit ±0,05 % Genauigkeit, 1 mA Ausgang, 1,4 V bis 40 V breiter Eingang, niedriger TC (35 ppm/°C) und Kurzschlussschutz für Einzel-Versorgungssysteme Fabrik

TLE2426IDR Präzisions-Virtual-Ground-Referenz-IC mit ±0,05 % Genauigkeit, 1 mA Ausgang, 1,4 V bis 40 V breiter Eingang, niedriger TC (35 ppm/°C) und Kurzschlussschutz für Einzel-Versorgungssysteme

TLE2426IDR Präzisions-Virtual-Ground-Referenz-IC mit ±0,05 % Genauigkeit, 1 mA Ausgang, 1,4 V bis 40 V breiter Eingang, niedriger TC (35 ppm/°C) und Kurzschlussschutz für Single-Supply-Systeme Eigenschaften 1/2 ... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:56
CHINA TLE2064IDR Präzisions-Quad-JFET-Eingangs-Operationsverstärker mit 10 MHz Bandbreite, 45 V/µs Anstiegsrate, geringem Rauschen (16 nV/√Hz), ±2 V bis ±20 V Versorgung, EMI-geschützt and Automobilqualität für Hochgeschwindigkeits-Signalaufbereitung Fabrik

TLE2064IDR Präzisions-Quad-JFET-Eingangs-Operationsverstärker mit 10 MHz Bandbreite, 45 V/µs Anstiegsrate, geringem Rauschen (16 nV/√Hz), ±2 V bis ±20 V Versorgung, EMI-geschützt and Automobilqualität für Hochgeschwindigkeits-Signalaufbereitung

TLE2064IDR Präzisionsquad JFET-Eingabe-Opp-Amp mit 10MHz Bandbreite 45V/micro;s Slew Rate Niedriger Lärm (16nV/andradic;Hz) und plusmn;2V bis plusmn;20V Versorgung EMIFahrzeugqualität für die Hochgeschwindigkei... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:56
CHINA TL081CDR Hochgeschwindigkeits-JFET-Eingangs-Oper-Amp mit 3MHz Bandbreite 13V/μs Schleifgeschwindigkeit Niedriggeräusch Breite ±18V Versorgung Hohe Z-Eingangs- und Industrie-Temperaturbereich für präzise analoge Schaltungen Fabrik

TL081CDR Hochgeschwindigkeits-JFET-Eingangs-Oper-Amp mit 3MHz Bandbreite 13V/μs Schleifgeschwindigkeit Niedriggeräusch Breite ±18V Versorgung Hohe Z-Eingangs- und Industrie-Temperaturbereich für präzise analoge Schaltungen

TL081CDR Hochgeschwindigkeits-JFET-Eingangs-Oper-Amp mit 3MHz Bandbreite 13V/micro;s Slew Rate Low Noise Wide andplusmn;18V Versorgung mit hohem Z-Eingangs- und Industrie-Temperaturbereich für Präzisionsanalogs... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:56
CHINA SN75451BDR Dual Peripheral Driver IC mit 300mA Sink/Source Current 4.5V-36V Breitspannungsbereich TTL/CMOS Kompatibeler thermischer Schutz und Geräuschdichtigkeit für die Motor-/Relaissteuerung Fabrik

SN75451BDR Dual Peripheral Driver IC mit 300mA Sink/Source Current 4.5V-36V Breitspannungsbereich TTL/CMOS Kompatibeler thermischer Schutz und Geräuschdichtigkeit für die Motor-/Relaissteuerung

SN75451BDR Dual Peripheral Driver IC mit 300mA Sink/Source Current 4.5V-36V Breitspannungsbereich TTL/CMOS Kompatibeler thermischer Schutz und Geräuschdichtigkeit für die Motor-/Relee-Steuerung undnbsp; ... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:56
CHINA SN74LVC2G04DCKR Dual-Inverter-Gatter mit 1,65 V bis 5,5 V Weitbereichsspannung, 32 mA Ausgangstreiber, extrem geringe Leistung, 3,4 ns Geschwindigkeit, winziges SC-70-Gehäuse and ESD-Schutz für raumbegrenzte Designs Fabrik

SN74LVC2G04DCKR Dual-Inverter-Gatter mit 1,65 V bis 5,5 V Weitbereichsspannung, 32 mA Ausgangstreiber, extrem geringe Leistung, 3,4 ns Geschwindigkeit, winziges SC-70-Gehäuse and ESD-Schutz für raumbegrenzte Designs

SN74LVC2G04DCKR Dual Inverter Gate mit 1,65 V bis 5,5 V Weitbereichsspannung 32 mA Ausgangstreiber Ultra-Low Power 3,4 ns Geschwindigkeit Tiny SC-70-Gehäuse & ESD-Schutz für raumbegrenzte Designs andnbsp; ... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:56
CHINA PIC32MX250F256H-I/PT Hochleistungs-32-Bit-MCU mit 256KB Flash 64KB RAM 50MHz Geschwindigkeit USB OTG Niedrige Leistung and Robuste Peripheriegeräte für eingebettete Designs Fabrik

PIC32MX250F256H-I/PT Hochleistungs-32-Bit-MCU mit 256KB Flash 64KB RAM 50MHz Geschwindigkeit USB OTG Niedrige Leistung and Robuste Peripheriegeräte für eingebettete Designs

PIC32MX250F256H-I/PT Hochleistungs-32-Bit-MCU mit 256 KB Flash, 64 KB RAM, 50 MHz Geschwindigkeit, USB OTG, geringem Stromverbrauch und robusten Peripheriegeräten für Embedded-Designs andnbsp; Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:56
CHINA OPA2170AIDR Geräuscharme Präzision RRIO 36V Op-Amp mit niedrigem Offset, niedriger Drift, breiter Bandbreite und niedrigem Stillstrom für industrielle Anwendungen Fabrik

OPA2170AIDR Geräuscharme Präzision RRIO 36V Op-Amp mit niedrigem Offset, niedriger Drift, breiter Bandbreite und niedrigem Stillstrom für industrielle Anwendungen

OPA2170AIDR Rauscharmes Präzisions-RRIO 36V Operationsverstärker mit geringem Offset, geringem Drift, großer Bandbreite und geringem Ruhestrom für Industrieanwendungen andnbsp; Eigenschaftenandnbsp; andbull; ... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:55
CHINA OPA340NA Single-Supply CMOS Operationsverstärker mit 5,5 MHz Bandbreite, 2 V/µs Slew Rate, Rail-to-Rail I/O, 750 µA Ruhestrom, 2,7-5,5 V Betrieb, SOT23-5 Gehäuse für tragbare und batteriebetriebene Anwendungen Fabrik

OPA340NA Single-Supply CMOS Operationsverstärker mit 5,5 MHz Bandbreite, 2 V/µs Slew Rate, Rail-to-Rail I/O, 750 µA Ruhestrom, 2,7-5,5 V Betrieb, SOT23-5 Gehäuse für tragbare und batteriebetriebene Anwendungen

OPA340NA Single-Supply CMOS-Operationsverstärker mit 5,5 MHz BW, 6 V/µs Slew Rate, Rail-to-Rail I/O, 750 µA Ruhestrom, 2,7-5,5 V Betrieb, SOT23-5 Gehäuse für tragbare und batteriebetriebene Anwendungen ... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:55
CHINA OPA140AIDR Präzision JFET Op-Amp mit 11MHz Bandbreite 20V/μs Schleifgeschwindigkeit Geräuscharm (7nV/√Hz) 1,1mA Ruhezustand ±2,25V bis ±18V Versorgung SOIC-8 Paket Fabrik

OPA140AIDR Präzision JFET Op-Amp mit 11MHz Bandbreite 20V/μs Schleifgeschwindigkeit Geräuscharm (7nV/√Hz) 1,1mA Ruhezustand ±2,25V bis ±18V Versorgung SOIC-8 Paket

OPA140AIDR Präzisions-JFET-Operationsverstärker mit 11 MHz Bandbreite 20V/micro;s Slew Rate Low Noise (7nV/andradic;Hz) 1,1mA Stillstrom und plusmn;2.25V bis + 18V Versorgung SOIC-8 Paket undnbsp; Eigenschaften ... Lesen Sie weiter
2025-12-16 13:13:55
CHINA NE5532DR2G Hochleistungs-Dual-Operationsverstärker, rauscharm (5 nV/\u221aHz), hohe Bandbreite (10 MHz), hohe Anstiegsrate (9 V/µs), ±2 V bis ±20 V Versorgung, SOIC-8, Audio and Pro Audio Ideal Fabrik

NE5532DR2G Hochleistungs-Dual-Operationsverstärker, rauscharm (5 nV/\u221aHz), hohe Bandbreite (10 MHz), hohe Anstiegsrate (9 V/µs), ±2 V bis ±20 V Versorgung, SOIC-8, Audio and Pro Audio Ideal

NE5532DR2G Hochleistungs-Dual-Op-Amp Niedriggeräusche (5nV/andradic;Hz) Breite Bandbreite (10MHz) Hohe Schleifrate (9V/andmicro;s) undplusmn;2V bis plusmn;20V Versorgung SOIC-8 Audio und Pro Audio Ideal undnbsp... Lesen Sie weiter
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