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IXFN56N90P 900V 56A N-Kanal MOSFET Ultra-Low Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technologie Schnellkörperdiode Niedrig Qg Hochgeschwindigkeitsschalter SOT-227B Paket für UPS und Antriebe

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IXFN56N90P 900V 56A N-Kanal MOSFET Ultra-Low Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technologie Schnellkörperdiode Niedrig Qg Hochgeschwindigkeitsschalter SOT-227B Paket für UPS und Antriebe

Großes Bild : IXFN56N90P 900V 56A N-Kanal MOSFET Ultra-Low Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technologie Schnellkörperdiode Niedrig Qg Hochgeschwindigkeitsschalter SOT-227B Paket für UPS und Antriebe

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	IXYS
Zertifizierung:	CE, GCF, ROHS
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1
Preis:	negotiable
Verpackung Informationen:	Zuerst in Originalschale verpackt, dann Carton, endlich Bubble Bag für das äußere Verpacken
Lieferzeit:	3-5 Arbeitstage nach Erhalt der Zahlung
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	1000 Stück pro Monat

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Typ:	IGBT-MODUL	Paket:	neu und originalF00R12KT4: 1200V 200A IGBT-Modul, niedriger VCE(sat), hohe Kurzschlussfestigkeit, ge
Zustand:	Neu und Original	Bleifreier Status:	Rohs-konform
Versand per:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL, UPS, Fedex und EMS

IXFN56N90P 900V 56A N-Kanal MOSFET Ultra-Low Rds(on) 135mΩ HiPerFET™ Polar Technology Schnelle Body-Diode Niedrige Qg Schnelle Schaltgeschwindigkeit SOT-227B Gehäuse für USV und Antriebe

Merkmale

International Standard Package
miniBLOC, mit Aluminiumnitrid-Isolation
Niedrige RDS(on) und QG
Avalanche-rated
Niedrige Paketinduktivität
Schneller intrinsischer Gleichrichter

Anwendungen

Hohe Leistungsdichte
Einfach zu montieren
Platzersparnis

Beschreibung

Schaltnetz- und Resonanznetznetzteile

DC-DC-Wandler

Laser-Treiber

AC- und DC-Motorantriebe

Robotik und Servo-Steuerungen

INFORMATION

Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FET,MOSFET Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Verpackung	Rohrverschraubungen
Teilestatus	Auf Lager
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFETs (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900 V
Strom bei 25°C - Kontinuierlicher Drain (ID)	56A(Tc)
Ansteuerspannung (Max RDS On, Min RDS ON)	10V
Einschaltwiderstand bei verschiedenen IDs und Vgs (max)	135 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) für verschiedene IDs (maximal)	6,5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) bei verschiedenen Vgs (max)	375 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Eingangskapazität (CIS) bei verschiedenen Vds (Max)	23000 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Leistungsverlust (Max)	1000W(Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C(TJ)
Qualität	-
Qualifikationen	-
Montagetyp	Basis Montage
Hersteller-Gerätepakete	SOT-227B
Gehäuse/Einhausung	SOT-227-4,miniBLOC

Zeichnung

IXFN56N90P 900V 56A N-Kanal MOSFET Ultra-Low Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Polar Technologie Schnellkörperdiode Niedrig Qg Hochgeschwindigkeitsschalter SOT-227B Paket für UPS und Antriebe 0

Unser Vorteil:Handys, PDAs, Notebook-Computer

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Produktliste
Lieferung einer Reihe von elektronischen Komponenten, vollständiges Sortiment an Halbleitern, aktive und passive Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu bekommen, kurz gesagt, Sie können hier eine One-Stop-Lösung erhalten,

Die Angebote umfassen:
Integrierte Schaltungen, Speicher-ICs, Dioden, Transistoren, Kondensatoren, Widerstände, Varistoren, Sicherungen, Trimmer und Potentiometer, Transformatoren, Batterien, Kabel, Relais, Schalter, Steckverbinder, Klemmenblöcke, Kristalle und Oszillatoren, Induktoren, Sensoren, Transformatoren, IGBT-Treiber, LEDs, LCDs, Konverter, Leiterplatten (Printed Circuit Board), PCBA (Leiterplattenbestückung)

Stark in Marken:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.