DSEI2X101-12A 1200V 2x101A Dual Diode Ultra-Fast Recovery Low Reverse Recovery Soft Switching Low VF High dI/dt Isoliertes Paket Ideal für Schnubber und Schweißen

DSEI2X101-12A 1200V 2x101A Dual-Diode Ultra-Schnell-Rückgewinnung Geringe Rückgewinnungsenergie Weiche Schaltcharakteristik Geringe VF Hohe dI/dt Isolierte Bauform Ideal für Snubber und Schweißanwendungen

Merkmale

• Planare passivierte Chips

• Geringer Leckstrom

• Sehr kurze Rückgewinnungszeit

• Verbessertes thermisches Verhalten

• Sehr geringe Irm-Werte

• Sehr weiches Rückgewinnungsverhalten

• Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb ausgelegt

• Weiche Rückgewinnung für geringe EMI/RFI

Anwendungen 

• Antiparallele Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte

• Antisättigungsdiode

• Snubber-Diode

• Freilaufdiode

• Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)

• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Beschreibung

Das DSEI2X101-12A ist ein 1200V, Dual-Diode Leistungmodul von IXYS, das zwei 101A Dioden in einem einzigen isolierten Gehäuse enthält. Es verwendet fortschrittliche planare Chiptechnologie mit ultra-schnellen Rückgewinnungseigenschaften, was es ideal für Hochfrequenzanwendungen macht. Das Modul bietet geringen Rückgewinnungsstrom, weiches Rückgewinnungsverhalten und hohe dI/dt-Fähigkeit, was eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.

INFORMATION

Zeichnung

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Produktliste
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Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.