SEMIX603GB12E4P 1200V 600A IGBT-Modul Niedrig Vce (sat) Hohe Kurzschlussfestigkeit Niedriger Schaltverlust Hohe Isolierung Industrielle Qualität Für Hochleistungs-UPS und industrielle Antriebe

SEMIX603GB12E4P 1200V 600A IGBT-Modul Low Vce(sat) Hohe Kurzschlussfestigkeit Geringe Schaltverluste Hohe Isolation Industriequalität Für Hochleistungs-USV und Industrieantriebe

Eigenschaften

• Homogenes Si

• Trench = Trenchgate-Technologie

• Hohe Kurzschlussfestigkeit

• Press-Fit-Pins als Hilfskontakte

• Thermisch optimierte Keramik

Anwendungen

• AC-Inverter-Antriebe

• USV

• Erneuerbare Energiesysteme

Beschreibung

Das SEMIX603GB12E4P ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul mit hohem Strom, das für anspruchsvolle industrielle Leistungsumwandlungssysteme entwickelt wurde, die eine erhebliche Strombelastbarkeit erfordern. Es bietet eine hohe Spannungsfestigkeit von 1200 V in Kombination mit einer sehr hohen Stromfestigkeit von 600 A. Durch den Einsatz fortschrittlicher IGBT- und Diodenchip-Technologie erreicht es ein ausgezeichnetes Gleichgewicht zwischen niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) für reduzierte Leitungsverluste und optimierten Schalteigenschaften für hohe Effizienz. Das Modul ist für maximale industrielle Robustheit ausgelegt und zeichnet sich durch hohe Kurzschlussfestigkeit, ausgezeichnete elektrische Isolation und ein thermisch effizientes, niederinduktives Gehäusedesign aus, um einen zuverlässigen und stabilen Betrieb unter hohen Belastungsbedingungen zu gewährleisten.

INFORMATIONEN

Zeichnung

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Produktliste
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