SKM400GB12E4 1200V 400A IGBT-Modul Low Vce(sat) Hohe Kurzschlussfestigkeit Geringe Schaltverluste Hohe Isolation Industriequalität Für Motorantriebe und Industrie-USV
Merkmale
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Leistungsdaten: 1200V / 400A
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Fortschrittliche IGBT- und Diodenchips
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Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat))
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Optimierte Schalteigenschaften
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Hohe Kurzschlussfestigkeit
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Hohe elektrische Isolation
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Thermisch effizientes Gehäuse
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Industrielle Ausführung und Zuverlässigkeit
Anwendungen
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Industrielle Motorantriebe: Für AC-Antriebe zur Steuerung von Pumpen, Lüftern und Fördersystemen.
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Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV): Industrielle Dreiphasen-USV-Systeme.
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Stromversorgungseinheiten in der Fertigung und Prozesssteuerung.
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Allzweck-Wechselrichter und Frequenzumrichter.
Beschreibung
Das SKM400GB12E4 ist ein robustes IGBT-Leistungsmodul, das für einen zuverlässigen und effizienten Betrieb in industriellen Anwendungen mit mittlerer bis hoher Leistung konzipiert wurde. Es verfügt über eine Nennspannung von 1200 V und einen Nennstrom von 400 A. Durch den Einsatz fortschrittlicher IGBT- und Freilaufdiodenchips erreicht dieses Modul ein günstiges Gleichgewicht zwischen geringen Verlusten (gekennzeichnet durch niedrige Vce(sat)) und beherrschbaren Schaltverlusten. Sein Design betont die industrielle Haltbarkeit und bietet eine hohe Kurzschlussfestigkeit, eine starke elektrische Isolation und ein thermisch optimiertes Gehäuse, um eine gleichbleibende Leistung und langfristige Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen zu gewährleisten.
INFORMATIONEN
| Chip-Technologie |
IGBT 4 (Trench)
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| Ursprungsland |
Slowakei
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| Strom (A) |
400 A
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| Abmessungen (LxBxH) |
106x62x31
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| Merkmale |
- IGBT4 = 4. Generation Medium Fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft Switching 4. Generation CAL-Diode
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
- Erhöhte Power-Cycling-Fähigkeit
- Mit integriertem Gate-Widerstand
- Für höhere Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz
- UL-anerkannt, Datei-Nr. E63532
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| Gehäuse |
SEMITRANS 3
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| Legacy-Teilenummer |
22892087
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| Produktlinie |
SEMITRANS
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| Produktstatus |
In Produktion
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| Technologie |
IGBT
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| Topologie |
Halbbrücke
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| Typ |
SEMITRANS 3
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| Typische Anwendungen |
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| Spannung (V) |
1200 V
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Zeichnung
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