MMBT5551LT1G Hochspannungs-NPN-Transistor
Merkmale
- S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Diese Geräte sind Pb-frei, Halogen-/BFR-frei und RoHS-konform
Anwendungen
- Signalverstärkung: Wird in Audio-Vorverstärkern, Sensorschnittstellen und anderen Kleinsignal-Verstärkungsstufen verwendet.
- Schaltkreise: Ideal zum Ansteuern von Relais, Magnetspulen, LEDs und anderen Lasten in Energiemanagementsystemen und Logikschnittstellen.
- Energieverwaltung: Wird in Schaltnetzteilen (SMPS), DC-DC-Wandlern und Spannungsreglern eingesetzt.
- Treiberstufen: Werden zum Puffern von Signalen von Mikrocontrollern oder ICs zur Steuerung von Geräten mit höherem Strom verwendet.
- Allgemeine Verwendung: Eine zuverlässige Komponente für Unterhaltungselektronik, industrielle Steuerungssysteme, Automobilmodule und Telekommunikationsgeräte.
Beschreibung
Der MMBT5551LT1G ist ein Allzweck-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT) für hohe Spannungen, der in einem platzsparenden SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist. Es wurde entwickelt, um in einem breiten Spektrum elektronischer Schaltkreise robuste Leistung zu liefern und Hochspannungsfähigkeit mit einem beträchtlichen Nennstrom zu kombinieren. Dieser Transistor zeichnet sich durch seine hohe Gleichstromverstärkung, niedrige Sättigungsspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten aus. Es wird aus halogen- und bleifreien Materialien hergestellt und entspricht vollständig RoHS und anderen Umweltstandards, was es zu einer zuverlässigen und umweltfreundlichen Wahl für moderne Elektronik macht.
Spezifikationen
| Kategorie |
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare Transistoren |
| Hersteller |
onsemi |
| Verpackung |
Klebeband und Amp; Spule (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Teilestatus |
Aktiv |
| Transistortyp |
NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) |
600 mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) |
160 V |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic |
200 mV bei 5 mA, 50 mA |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) |
100nA |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce |
80 bei 10 mA, 5 V |
| Leistung – max |
225 mW |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart |
Oberflächenmontage |
| Paket/Koffer |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten |
SOT-23-3 (TO-236) |
| Basisproduktnummer |
MMBT5551 |
Zeichnung
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