Startseite Produkte Komponenten der integrierten Schaltung

Ultra-Niedrigleistung 0,0015Ω MOSFET in Dual PQFN mit Avalanche Rating AEC-Q101 175°C -40V/-30V Logik Level und halogenfrei für eine hocheffiziente Leistungskonvertierung

Alle Produkte

4G 5G-Modul (37)

Drahtloses Kommunikations-Modul (38)

GPS-Empfänger-Modul (11)

Integrierte Leistungsmodule (4)

IGBT-Leistungsmodul (24)

Komponenten der integrierten Schaltung (523)

Passive elektronische Bauelemente (80)

High-Gain-Gps-Antenne (14)

drahtlose Kommunikationsantenne (30)

kombinierte Antenne (14)

Antenne mit niedriger Frequenz (5)

Digital Fernsehantenne (7)

HF-Koaxialkabel (9)

Koaxialstecker Rfs (10)

PCB Montage Dienstleistungen (5)

Terminal-Block-Steckverbindern (16)

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen

Ausgezeichnetes Produkt, gute Qualität, konkurrenzfähiger Preis, freiberufliche Dienstleistung, mit 10 Jahren Zusammenarbeit, jetzt werden wir gute Freunde.

—— Ronald-Von Boilvia

Es ist sehr froh, SPITZE als unser Partner in China zu finden, hier können wir das beste Produkt erhalten und serice, setzen sie immer den Kunden auf dem erster Platz.

—— Carlos-von Argentinien

Ich bin mit Ihrem ganzem Service sehr erfüllt. Es ist wirklich ein gutes Team! mit Ihrem one-stop Lösungsangebot helfen Sie uns, viel Zeit und Geld zu sparen

—— Giancarlo-von Italien

Ich bin online Chat Jetzt

Ultra-Niedrigleistung 0,0015Ω MOSFET in Dual PQFN mit Avalanche Rating AEC-Q101 175°C -40V/-30V Logik Level und halogenfrei für eine hocheffiziente Leistungskonvertierung

Großes Bild : Ultra-Niedrigleistung 0,0015Ω MOSFET in Dual PQFN mit Avalanche Rating AEC-Q101 175°C -40V/-30V Logik Level und halogenfrei für eine hocheffiziente Leistungskonvertierung

Produktdetails:

Herkunftsort:	CHINA
Markenname:	Infineon
Zertifizierung:	CE, GCF, ROHS
Modellnummer:	IRF7351TRPBF

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1
Preis:	negotiable
Verpackung Informationen:	Zuerst in Originalschale verpackt, dann Carton, endlich Bubble Bag für das äußere Verpacken
Lieferzeit:	3-5 Arbeitstage nach Erhalt der Zahlung
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	1000 Prozent pro Monat

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Funktion:	Fortschreiten, Abschreiten	Ausgabekonfiguration:	Positiv oder negativ
Topologie:	Buck, Boost	Ausgangstyp:	Einstellbar
Anzahl der Ausgänge:	1
Hervorheben:	MOSFET mit sehr geringer Leistung 0 , 0015Ω , AEC-Q101 MOSFET mit Schwankungsbewertung

Ultra-Low 0,0015andOmega; Leistungs-MOSFET in Dual PQFN mit Avalanche-Bewertung AEC-Q101 175anddeg;C -40V/-30V Logikpegel und halogenfrei für hocheffiziente Leistungsumwandlung

andnbsp;

Eigenschaften

Ultra-niedrige Gate-Impedanz

Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom

20V VGS Max. Gate-Nennwert

andnbsp;

Anwendungen

Synchron-Gleichrichter-MOSFET für isolierte DC-DC-Wandler

Leistungsarme Motorantriebssysteme

andnbsp;

Beschreibung

Der IRF7351TRPBF ist ein Hochleistungs-Dual-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies, integriert in einem kompakten PQFN 5x6 mm Gehäuse. Er wurde speziell für synchrone Abwärtswandler und andere Energiemanagementanwendungen entwickelt, die hohe Effizienz und hohe Leistungsdichte erfordern.

andnbsp;

INFORMATIONEN

Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET-, MOSFET-Arrays	andnbsp;
Hersteller	Infineon Technologies	andnbsp;
Serie	HEXFETandreg;	andnbsp;
Verpackung	Gurt and Rolle (TR) Geschnittene Bandware (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Teilestatus	Aktiv	andnbsp;
Technologie	MOSFET (Metalloxid)	andnbsp;
Konfiguration	2 N-Kanal (Dual)	andnbsp;
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate	andnbsp;
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	andnbsp;
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25anddeg;C	8A	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17,8 mOhm @ 8A, 10V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 50andmicro;A	andnbsp;
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V	andnbsp;
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 30V	andnbsp;
Leistung - Max	2W	andnbsp;
Betriebstemperatur	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Montageart	Oberflächenmontage	andnbsp;
Gehäuse / Gehäuse	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	andnbsp;
Lieferantengehäuse	8-SO	andnbsp;
Basisproduktnummer	IRF7351

andnbsp;

Zeichnung

Unser Vorteil:Telefone, PDAs, Notebooks

Hochwertige Produkte --- Unsere Angebote sind 100% neu und original, ROHS
Wettbewerbsfähiger Preis --- Gute Einkaufskanäle mit gutem Preis.
Professioneller Service --- Strenge Qualitätsprüfung vor dem Versand und perfekter Kundendienst nach dem Kauf.
Ausreichender Lagerbestand --- Mit der Unterstützung unseres starken Einkaufsteams,
Schnelle Lieferung --- Wir versenden die Ware innerhalb von 1-3 Werktagen nach Zahlungsbestätigung.

andnbsp;

stellen Sie sicher, dass Sie alle Arten von Komponenten benötigen.^_^

Produktliste
Liefern Sie eine Reihe elektronischer Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktiven und passiven Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu erhalten. Kurz gesagt, Sie können hier eine Komplettlösung erhalten,

Die Angebote beinhalten:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer and Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Kristall and Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Konverter, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)

Stark in der Marke:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.

andnbsp;

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Mrs. Natasha

Telefon: 86-13723770752

Faxen: 86-755-82815220

Andere Produkte

LM3410YSD/NOPB 1,6 MHz Abwärtswandler 2,7-5,5V Eingang 750mA Ausgang 92% Wirkungsgrad SOT-23-5 Gehäuse Interner Schalter 1μA Abschaltung -40°C bis +125°C für tragbare Geräte

Funktion: Fortschreiten, Abschreiten