IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Hochgeschwindigkeit 10ns SRAM 3.3V Betrieb Niedrige Leistung Industrie-Temperatur (-40°C bis +85°C) 48-Ball BGA-Paket Asynchronbetrieb Hohe Zuverlässigkeit Datenspeicherung

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 High-Speed 10ns SRAM 3,3V Betrieb Low Power Industrial Temp (-40anddeg;C bis +85anddeg;C) 48-Ball BGA Gehäuse Asynchroner Betrieb Hohe Zuverlässigkeit Datenhaltung

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MERKMALE

andbull; High-Speed-Zugriffszeiten: 8, 10, 20 ns

andbull; Hochleistungs-, Low-Power-CMOS-Prozess

andbull; Mehrere mittige Strom- und Masseanschlüsse für höhereandnbsp;Störfestigkeit

andbull; Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen

andbull; CE-Power-Down

andbull; Vollständig statischer Betrieb: kein Takt oder Refresh erforderlich

andbull; TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge

andbull; Einzelne Stromversorgung

andnbsp; Vdd 1,65 V bis 2,2 V (IS61WV102416ALL)

andnbsp; Geschwindigkeit = 20 ns für

andnbsp; Vdd 1,65 V bis 2,2 V Vdd 2,4 V bis 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)

andnbsp; Geschwindigkeit = 10 ns für Vdd 2,4 V bis 3,6 V

andnbsp; Geschwindigkeit = 8 ns für Vdd 3,3 V + 5%

andbull; Verfügbare Gehäuse:

andnbsp; andndash; 48-Ball MiniBGA (9 mm x 11 mm)

andnbsp; andndash; 48-Pin TSOP (Typ I)

andbull; Unterstützung für Industrie- und Automobil-Temperaturbereiche

andbull; Bleifrei verfügbar

andbull; Datensteuerung für obere und untere Bytes

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Anwendungen

1:Industrielle Automatisierung (SPS, Robotik)

2:Automobilelektronik (ECUs, ADAS)

3:Netzwerkgeräte (Router, Switches)

4:Eingebettete Systeme (Audio-/Videoverarbeitung, Luft- und Raumfahrt)

5:High-Speed-Datenpufferung/Caching

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Beschreibung

Die ISSI IS61WV102416ALL/BLL und IS64WV102416BLL sind High-Speed-Static-RAMs mit 16 MBit, die als 1024K Wörter mit 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess, kombiniert mit innovativen Schaltungsdesigntechniken, liefert Hochleistungs- und Low-Power-Verbrauch-Bauelemente.

Wenn CE HIGH (deselektiert) ist, nimmt das Bauelement einen Standby-Modus an, bei dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann.

Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE, bereitgestellt. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).

Das Bauelement ist im JEDEC-Standard-48-Pin-TSOP-Typ I und 48-Pin-Mini-BGA (9 mm x 11 mm) Gehäuse erhältlich.

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INFORMATIONEN

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Zeichnung

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