IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Hochgeschwindigkeit 10ns SRAM 3.3V Betrieb Niedrige Leistung Industrie-Temperatur (-40°C bis +85°C) 48-Ball BGA-Paket Asynchronbetrieb Hohe Zuverlässigkeit Datenspeicherung

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 High-Speed 10ns SRAM 3,3V Betrieb Low Power Industrial Temp (-40anddeg;C bis +85anddeg;C) 48-Ball BGA Gehäuse Asynchroner Betrieb Hohe Zuverlässigkeit Datenhaltung

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MERKMALE

andbull; Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeiten: 8, 10, 20 ns

andbull; Hochleistungs-, Low-Power-CMOS-Prozess

andbull; Mehrere mittige Strom- und Masseanschlüsse für größereandnbsp;Störfestigkeit

andbull; Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen

andbull; CE-Ausschaltung

andbull; Vollständig statischer Betrieb: kein Takt oder Auffrischen erforderlich

andbull; TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge

andbull; Einzelne Stromversorgung

andnbsp; Vdd 1,65 V bis 2,2 V (IS61WV102416ALL)

andnbsp; Geschwindigkeit = 20 ns für

andnbsp; Vdd 1,65 V bis 2,2 V Vdd 2,4 V bis 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)

andnbsp; Geschwindigkeit = 10 ns für Vdd 2,4 V bis 3,6 V

andnbsp; Geschwindigkeit = 8 ns für Vdd 3,3 V + 5%

andbull; Verfügbare Gehäuse:

andnbsp; andndash; 48-Ball MiniBGA (9 mm x 11 mm)

andnbsp; andndash; 48-Pin TSOP (Typ I)

andbull; Unterstützung für Industrie- und Automobil-Temperaturbereiche

andbull; Bleifrei verfügbar

andbull; Datensteuerung für obere und untere Bytes

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Anwendungen

1:Industrielle Automatisierung (SPS, Robotik)

2:Automobilelektronik (ECUs, ADAS)

3:Netzwerkgeräte (Router, Switches)

4:Eingebettete Systeme (Audio-/Videoverarbeitung, Luft- und Raumfahrt)

5:Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung/Caching

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Beschreibung

Die ISSI IS61WV102416ALL/BLL und IS64WV102416BLL sind Hochgeschwindigkeits-Static-RAMs mit 16 MBit, die als 1024K Wörter zu 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess, kombiniert mit innovativen Schaltungsdesigntechniken, liefert Hochleistungs- und Niedrigenergieverbrauch-Bauelemente.

Wenn CE HIGH (deselektiert) ist, nimmt das Bauelement einen Standby-Modus an, bei dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann.

Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE, bereitgestellt. Das aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).

Das Bauelement ist im JEDEC-Standard 48-Pin TSOP Typ I und 48-Pin Mini BGA (9 mm x 11 mm) Gehäuse erhältlich.

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INFORMATIONEN

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Zeichnung

Unser Vorteil:Telefone, PDAs, Notebooks

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Die Angebote umfassen:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer and Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Kristall and Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Konverter, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB-Baugruppe)

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Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.