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Dual N+P-Kanal IRF7420TRPBF ±5,3A 20V SOIC-8 0,045Ω Rds(on) 1,8V Logikpegel Schnelles Schalten Hocheffizientes Energiemanagement Platzsparendes Design

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Dual N+P-Kanal IRF7420TRPBF ±5,3A 20V SOIC-8 0,045Ω Rds(on) 1,8V Logikpegel Schnelles Schalten Hocheffizientes Energiemanagement Platzsparendes Design

Großes Bild : Dual N+P-Kanal IRF7420TRPBF ±5,3A 20V SOIC-8 0,045Ω Rds(on) 1,8V Logikpegel Schnelles Schalten Hocheffizientes Energiemanagement Platzsparendes Design

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	Infineon
Zertifizierung:	CE, GCF, ROHS
Modellnummer:	IRF7420TRPBF

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1
Preis:	negotiable
Verpackung Informationen:	Zuerst in Originalschale verpackt, dann Carton, endlich Bubble Bag für das äußere Verpacken
Lieferzeit:	3-5 Arbeitstage nach Erhalt der Zahlung
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	1000 Prozent pro Monat

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Funktion:	Fortschreiten, Abschreiten	Ausgabekonfiguration:	Positiv oder negativ
Topologie:	Buck, Boost	Ausgangstyp:	Einstellbar
Anzahl der Ausgänge:	1
Hervorheben:	Dual N+P-Kanal MOSFET 20V SOIC-8 , Logikpegel Schnelles Schalten Leistungs-MOSFET , Hohe Leistungsfähigkeits-Energie-Management IC

Ein MOSFET mit zwei N+P-Kanälen IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8

Schlüsselmerkmale

Funktion	Schritt nach oben, Schritt nach unten
Ausgabekonfiguration	Positiv oder negativ
Topologie	Buck, steigern.
Ausgabeart	Einstellbar
Anzahl der Ausgänge	1

Beschreibung des Produkts

Dieses HEXFET® Power MOSFET verfügt über eine doppelte N+P-Kanalkonfiguration mit ±5,3A Nennstrom und 20V Spannung im SOIC-8-Paket.Es bietet eine schnelle Schaltung und hohe Effizienz für Stromverwaltungsanwendungen und spart gleichzeitig Platz.

Eigenschaften

Fortgeschrittene Prozesstechnik
Ultra-niedriges Widerstandsniveau
Betriebstemperatur 175°C
Schnell wechseln
Wiederholte Lawine zulässig bis Tjmax
Bleifrei

Anwendungen

Leistungsmanagementmodule (PMIC):Wird in Motherboards, Servern, Netzwerkgeräten und tragbaren Elektronik als Lastschalter und in DC-DC-Wandlern verwendet.
Motorantrieb und Steuerung:Ideal für den Antrieb kleiner bis mittlerer Gleichstrommotoren in Robotik und automatisierter Ausrüstung.
Batteriebetriebene GeräteWird in Smartphones, Tablets und medizinischen Geräten zum Schutz und zur Verwaltung von Batterien verwendet.
Signalübertragung und Multiplexing:Anwendbar für Routingsignale in Prüfgeräten und Datenerfassungssystemen.

Technische Spezifikation

Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte>Transistoren>FETs, MOSFETs
Hersteller	Infineon Technologies
Reihe	HEXFET®
Verpackung	Tape & Reel (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Status des Teils	Veraltet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)	12 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)	1.8V, 4,5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 11,5A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 4,5 V
Vgs (maximal)	±8V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3529 pF @ 10 V
Leistungsausfall (maximal)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage	Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket	8-SO
Packung / Gehäuse	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Basisproduktnummer	IRF7420

Produktzeichnungen

Unsere Vorteile

Hochwertige Produkte - 100% neu und originell, ROHS-konform
Wettbewerbsfähige Preise - ausgezeichnete Beschaffungskanäle mit guten Preisen
Professioneller Service - strenge Qualitätsprüfung und perfekte Kundendienstleistungen
Ausreichende Bestände - unterstützt durch ein starkes Einkaufsteam
Schnelle Lieferung - Versand innerhalb von 1-3 Werktagen nach Zahlungsbestätigung

Wir können Ihre Bedürfnisse für alle Arten von elektronischen Komponenten erfüllen.

Produktportfolio

Wir liefern eine vollständige Palette von elektronischen Komponenten, einschließlich Halbleiter, aktive und passive Komponenten.

Verfügbare Komponenten

Integrierte Schaltungen
Speicher-ICs
Dioden
Transistoren
mit einer Leistung von mehr als 1000 W
Widerstände
mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm
Schließungen
Trimmern und Potentiometern
mit einer Leistung von mehr als 1000 W
Batterien
Kabel
Relais
Schalter
Anschlüsse
Terminalblöcke
Kristalle und Oszillatoren
mit einer Breite von mehr als 20 mm
Sensoren
IGBT-Treiber
LEDs, LCDs
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