FM24CL04B-G 4-kbit 5V FRAM mit unbegrenzter Ausdauer, 150 ns verzögerungsfreies Schreiben, 1 MHz I2C-Schnittstelle, 10^14 Lese-/Schreibzyklen, geringer 50 µA Standby-Strom und 40 Jahre Datenerhalt

FM24CL04B-G 4 KB 5 V FRAM mit unbegrenzter Lebensdauer, 150 ns verzögerungsfreies Schreiben, 1 MHz I2C-Schnittstelle, 10 ^ 14 Lese-/Schreibzyklen, niedriger Standby-Strom von 50 μA und 40 Jahre Datenaufbewahrung

• 4-Kbit ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (F-RAM), logisch organisiert als 512 × 8
  • Hochleistungs-100 Billionen (10¹⁴) liest/schreibt
  • 151 Jahre Datenaufbewahrung (siehe Datenaufbewahrung und Haltbarkeit auf Seite 10)
  • NoDelay™ schreibt
  • Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
• Schnelle serielle 2-Draht-Schnittstelle (I2C)
  • Bis zu 1 MHz Frequenz
  • Direkter Hardware-Ersatz für serielles (I2C) EEPROM
  • Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
• Geringer Stromverbrauch
  • 100 μA Wirkstrom bei 100 kHz
  • 3 μA (typisch) Standby-Strom
• Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V
• Industrietemperatur: -40℃ bis +85℃
• 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit).
• Konform mit der Beschränkung gefährlicher Stoffe (RoHS).

Der FM24CL04B ist ein nichtflüchtiger 4-Kbit-Speicher, der einen fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess nutzt. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursacht werden.

Im Gegensatz zu EEPROM führt der FM24CL04B Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durch. Es treten keine Schreibverzögerungen auf. Die Daten werden sofort nach der erfolgreichen Übertragung jedes Bytes an das Gerät in das Speicherarray geschrieben. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine erhebliche Schreiblebensdauer. Außerdem weist F-RAM beim Schreiben eine viel geringere Leistung auf als EEPROM, da für Schreibvorgänge keine intern erhöhte Versorgungsspannung für Schreibschaltkreise erforderlich ist. Der FM24CL04B unterstützt 10¹⁴Lese-/Schreibzyklen oder 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM.

Diese Fähigkeiten machen den FM24CL04B ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder schnelle Schreibvorgänge erfordern. Beispiele reichen von der Datenprotokollierung, bei der die Anzahl der Schreibzyklen entscheidend sein kann, bis hin zu anspruchsvollen Industriesteuerungen, bei denen die lange Schreibzeit des EEPROMs zu Datenverlust führen kann. Die Kombination der Funktionen ermöglicht ein häufigeres Schreiben von Daten bei geringerem Systemaufwand.

Der FM24CL04B bietet Benutzern von seriellen (I2C) EEPROMs als Hardware-Drop-in-Ersatz erhebliche Vorteile. Die Gerätespezifikationen werden über einen industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C garantiert.

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