CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET mit 40A Impuls 1.5V Max VGS(th) AEC-Q101 qualifiziert SON 5x6mm Gehäuse halogenfrei und ultra-niedriges Qg & Qgd
Produktattribute
| Attribut |
Wert |
| Funktion |
Step-Up, Step-Down |
| Ausgangskonfiguration |
Positiv oder Negativ |
| Topologie |
Buck, Boost |
| Ausgangstyp |
Einstellbar |
| Anzahl der Ausgänge |
1 |
Produktbeschreibung
CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET mit 40A Impuls 1.5V Max VGS(th) AEC-Q101 qualifiziert SON 5x6mm Gehäuse halogenfrei und ultra-niedriges Qg & Qgd
Merkmale
- Optimiert für 5V Gate-Ansteuerung
- Ultra-niedriges Qg und Qgd
- Geringer thermischer Widerstand
- Lawinenfest
- Pb-freie Anschlussbeschichtung
- RoHS-konform
- Halogenfrei
- SON 5-mm x 6-mm Kunststoffgehäuse
Anwendungen
Notebook Point of Load
Point-of-Load Synchronous Buck in Netzwerk-, Telekommunikations- und Computersystemen
Beschreibung
Der NexFET™ Leistungs-MOSFET wurde entwickelt, um Verluste in Leistungsumwandlungsanwendungen zu minimieren und ist für 5V Gate-Ansteuerungsanwendungen optimiert.
Technische Daten
| Kategorie |
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzel-FETs, MOSFETs |
| Hersteller |
Texas Instruments |
| Serie |
NexFET™ |
| Verpackung |
Gurt & Rolle (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Teilestatus |
Aktiv |
| FET-Typ |
N-Kanal |
| Technologie |
MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30 V |
| Strom - Dauer-Drain (Id) bei 25°C |
87A (Tc) |
| Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4,5 V, 10 V |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs |
8,1 mOhm bei 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) bei Id |
2V bei 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs |
4,3 nC bei 4,5 V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds |
695 pF bei 15 V |
| FET-Merkmal |
- |
| Verlustleistung (Max) |
3W (Ta) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Güteklasse |
- |
| Qualifizierung |
- |
| Montageart |
Oberflächenmontage |
| Gehäuse des Lieferantengeräts |
8-VSONP (5x6) |
| Gehäuse / Gehäuse |
8-PowerTDFN |
| Basisproduktnummer |
CSD17522 |
Zeichnung
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