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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

SPITZE ist ein professioneller Verteiler der elektronischen Bauelemente in China.

wir bieten one-stop Lösungsservice, von den Kommunikationsmodulen, von den Antennen, von PWB, von PCBA und von allen Komponenten für PWB Bom an.

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IRLR2905TRPBF 30V MOSFET 20mΩ Ultra-Low RDS(on) 60A Hochstrom Schnelle Schaltgeschwindigkeit Lawinenfest TO-262 (D2PAK) Gehäuse Bleifrei für Motorantriebe & Leistungsumwandlung

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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IRLR2905TRPBF 30V MOSFET 20mΩ Ultra-Low RDS(on) 60A Hochstrom Schnelle Schaltgeschwindigkeit Lawinenfest TO-262 (D2PAK) Gehäuse Bleifrei für Motorantriebe & Leistungsumwandlung

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Großes Bild :  IRLR2905TRPBF 30V MOSFET 20mΩ Ultra-Low RDS(on) 60A Hochstrom Schnelle Schaltgeschwindigkeit Lawinenfest TO-262 (D2PAK) Gehäuse Bleifrei für Motorantriebe & Leistungsumwandlung

Produktdetails:
Place of Origin: China
Markenname: International Rectifier
Zertifizierung: CE, GCF, ROHS
Model Number: IRLR2905TRPBF
Zahlung und Versand AGB:
Minimum Order Quantity: 1
Preis: negotiable
Packaging Details: Packed in original tray firstly ,then carton, at last Bubble bag for outer packing
Delivery Time: 3-5 working days after received the payment
Payment Terms: T/T, Western Union,
Supply Ability: 1000pcs per month
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Function: Step-Up, Step-Down Output Configuration: Positive or Negative
Topology: Buck, Boost Output Type: Adjustable
Number of Outputs: 1

IRLR2905TRPBF 30V MOSFET 20mΩ Ultra-Low RDS(on) 60A Hochstrom Schnelle Schaltgeschwindigkeit Lawinenfest TO-262 (D2PAK) Gehäuse Bleifrei für Motorantriebe & Leistungsumwandlung

 

Eigenschaften

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Oberflächenmontage (IRFZ44ES)

Flache Durchsteckmontage (IRFZ44EL)

175°C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten

Vollständig lawinenfest

Bleifrei

 

Beschreibung

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das für Chipgrößen bis zu HEX-4 geeignet ist. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigstmöglichen Einschaltwiderstand in jedem vorhandenen oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen Innenwiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen oberflächenmontierbaren Anwendung bis zu 2,0 W ableiten. Die Durchsteckversion (IRFZ44EL) ist für flache Anwendungen erhältlich.

 

Anwendungen

Motorantriebssteuerung
Elektrowerkzeuge (Bohrmaschinen/Winkelschleifer usw.)

Motorsteuerungen für Elektrofahrzeuge

Industrielle Servomotorantriebe

Haushaltsgerätemotoren (Staubsauger/Mixer usw.)
Leistungsumwandlungssysteme
DC-DC-Wandler (Abwärts/Aufwärts)

Synchrone Gleichrichterschaltungen

Schaltnetzteile (SMPs)

Batteriemanagementsysteme (BMS)
Industrielle Leistungselektronik
Leistungsverteilungsschalter

Relais-Ersatzschaltungen

Industrielle Automatisierungssteuerung

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Automobilelektronik
12V/24V Fahrzeugstromversorgungssysteme
Antriebe für elektrische Fensterheber

Automobilpumpensteuerungen

LED-Beleuchtungstreiber
Unterhaltungselektronik
Hochstrom-Lastschalter

Schnellladeschaltungen

Lithium-Batterieschutzschaltungen

Hochleistungs-Audioverstärker

 

INFORMATIONEN

Kategorie
Hersteller
Serie
Verpackung
Gurt & Rolle (TR)
Geschnittenes Band (CT)
Digi-Reel®
Teilstatus
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25°C
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (Max)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Güte
-
Qualifizierung
-
Montageart
Oberflächenmontage
Gehäuse des Lieferantengeräts
TO-252AA (DPAK)
Gehäuse / Gehäuse
Basisproduktnummer

 

Zeichnung

IRLR2905TRPBF 30V MOSFET 20mΩ Ultra-Low RDS(on) 60A Hochstrom Schnelle Schaltgeschwindigkeit Lawinenfest TO-262 (D2PAK) Gehäuse Bleifrei für Motorantriebe & Leistungsumwandlung 0

Unser Vorteil:

  • Hochwertige Produkte --- Unsere Angebote sind 100% neu und original, ROHS
  • Wettbewerbsfähiger Preis --- Gute Einkaufskanäle mit gutem Preis.
  • Professioneller Service --- Strenge Qualitätsprüfung vor dem Versand und perfekter Kundendienst nach dem Kauf.
  • Ausreichender Lagerbestand --- Mit der Unterstützung unseres starken Einkaufsteams,
  • Schnelle Lieferung --- Wir versenden die Ware innerhalb von 1-3 Werktagen nach bestätigter Zahlung.

 

Stellen Sie sicher, dass Sie Ihre Anforderungen an alle Arten von Komponenten erfüllen.^_^


Produktliste
Liefern Sie eine Reihe von elektronischen Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktiven und passiven Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu erhalten. Kurz gesagt, Sie können hier eine Komplettlösung erhalten,


Die Angebote beinhalten:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer & Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Kristall & Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Konverter, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)

Stark in der Marke:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.

Kontaktdaten
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Ansprechpartner: Mrs. Natasha

Telefon: 86-13723770752

Faxen: 86-755-82815220

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