SPITZE ist ein professioneller Verteiler der elektronischen Bauelemente in China.
wir bieten one-stop Lösungsservice, von den Kommunikationsmodulen, von den Antennen, von PWB, von PCBA und von allen Komponenten für PWB Bom an.
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Produktdetails:
Zahlung und Versand AGB:
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| Frequenzstabilität: | ± 50 ppm | Frequenzverträglichkeit: | ± 30 ppm |
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| Betriebstemperatur: | -40 °C bis 85 °C | Lastkapazität: | 18pF |
| Paket / Gehäuse: | HC-49/US | Name: | passive elektronische Bauelemente |
| Hervorheben: | IPA60R360P7SXKSA1,IPA60R360P7SXKSA1 MOSFET |
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IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOSandtrade; 360mandOmega; RDS(on) 11A Strom Ultra-Low Switching Losses Hohe Effizienz Robuster ESD-Schutz TO-220 Gehäuse für SMPS and Industrieanwendungen
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Eigenschaften
andbull;GeeignetfürHart-undWeichschalten(PFCundLLC)durchhervorragendeKommutierungsrobustheit
andbull;ErheblicheReduzierungderSchalt-undLeitungsverluste
andbull;AusgezeichneteESD-Robustheit>2kV(HBM)füralleProdukte
andbull;BesseresRDS(on)/GehäuseproduktimVergleichzumWettbewerbdurchniedrigesRDS(on)*A(unter1Ohm*mmandsup2;)
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Vorteile
andbull;EinfacheHandhabungundschnelleKonstruktiondurchgeringeRingneigungundVerwendungüberPFC-undPWM-Stufen
andbull;VereinfachtesWärmemanagementdurchgeringeSchalt-undLeitungsverluste
andbull;ErhöhteLeistungsdichtelösungendurchdieVerwendungvonProduktenmitkleineremFootprintundhöhererFertigungsqualitätdurch>2kVESD-Schutzandbull;GeeignetfüreineVielzahlvonAnwendungenundLeistungsbereichen
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PotenzielleAnwendungen
PFC-Stufen,Hartschalt-PWM-StufenundResonanzschaltstufen z.B. PCSilverbox,Adapter,LCDandPDPTV,Beleuchtung,Server,TelekommunikationundUSV.
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Produktvalidierung
QualifiziertnachJEDEC-Standard
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MOSFET
600V CoolMOSandordf; P7 Leistungsbauelement
DieCoolMOSandtrade;7.Generationist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600V CoolMOSandtrade; P7-Serie ist der Nachfolger der CoolMOSandtrade; P6-Serie. Sie kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJMOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z.B. sehr geringe Ringneigung, hervorragende Robustheit der Body-Diode gegen harte Kommutierung und ausgezeichnete ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem geringe Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und viel kühler.
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INFORMATIONEN
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Kategorie
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Hersteller
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Verpackung
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Tube
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Teilestatus
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Aktiv
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FET-Typ
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Technologie
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
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600 V
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Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25anddeg;C
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Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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360mOhm @ 2,7A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 140andmicro;A
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Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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13 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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andplusmn;20V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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555 pF @ 400 V
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FET-Funktion
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Verlustleistung (Max)
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22W (Tc)
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Betriebstemperatur
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-40anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Qualität
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Qualifizierung
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Montageart
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Durchsteckmontage
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Gehäuse des Lieferanten
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PG-TO220-FP
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Gehäuse / Gehäuse
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Basisproduktnummer
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Zeichnung
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1. 10 Jahre Erfahrung mit Komponenten; One-Stop-Service für die Stückliste; PCB and PCBA Service.
2. Herstellung von Kommunikationsantennen, HF-Koaxialkabeln, HF-Steckern, Klemmen.
3. Vertrieb von GSM/GPRS-, GPS-, 3G-, 4G/LTE-Modulen.
Unsere hochwertigen Produkte, wettbewerbsfähigen Preise und professionellen Service,
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Ansprechpartner: Mrs. Natasha
Telefon: 86-13723770752
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