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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7mΩ RDS ((on) 300A Strom schnelle Schaltung AEC-Q101 qualifizierte überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Paket für Automotive and Power

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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7mΩ RDS ((on) 300A Strom schnelle Schaltung AEC-Q101 qualifizierte überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Paket für Automotive and Power

Großes Bild : CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7mΩ RDS ((on) 300A Strom schnelle Schaltung AEC-Q101 qualifizierte überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Paket für Automotive and Power

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	TI
Zertifizierung:	CE,ROHS
Modellnummer:	CSD18563Q5A

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1 Stück

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Frequenzstabilität:	± 50 ppm	Frequenzverträglichkeit:	± 30 ppm
Betriebstemperatur:	-40 °C bis 85 °C	Lastkapazität:	18pF
Paket / Gehäuse:	HC-49/US	Name:	passive elektronische Bauelemente
Hervorheben:	D2PAK-7 CSD18563Q5A MOSFET , 300A CSD18563Q5A MOSFET , AEC-Q101-qualifizierter CSD18563Q5A MOSFET

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7 mandOmega; RDS(on) 300A Strom Schnelles Schalten AEC-Q101 Qualifiziert Überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Gehäuse für Automobil and Leistung

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Eigenschaften

andbull; Ultra-Low Qg und Qgd

andbull; Weiche Body-Diode für reduziertes Klingeln

andbull; Niedriger thermischer Widerstand

andbull; Lawinenfest

andbull; Logikpegel

andbull; Blei freie Terminalbeschichtung

andbull; RoHS-konform

andbull; Halogenfrei

andbull; SON5mmandtimes;6mm Kunststoffgehäuse

andnbsp;

Anwendungen

Low-Side-FET für industrielle Buck-Wandler

Sekundärseitiger synchroner Gleichrichter

Motorsteuerung

andnbsp;

Beschreibung

Dieser 5,7 mandOmega;, 60 V SON 5 mm andtimes; 6 mm NexFETandtrade; Leistungs-MOSFET wurde entwickelt, um mit dem CSD18537NQ5A Steuer-FET gepaart zu werden und als Sync-FET für eine komplette industrielle Buck-Wandler-Chipsatzlösung zu fungieren.

andnbsp;

INFORMATIONEN

Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzel-FETs, MOSFETs	andnbsp;
Hersteller	Texas Instruments	andnbsp;
Serie	NexFETandtrade;	andnbsp;
Verpackung	Gurt and Rolle (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Teilstatus	Aktiv	andnbsp;
FET-Typ	N-Kanal	andnbsp;
Technologie	MOSFET (Metalloxid)	andnbsp;
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V	andnbsp;
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25anddeg;C	100A (Ta)	andnbsp;
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,8 mOhm @ 18A, 10V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4 V @ 250 andmicro;A	andnbsp;
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	andnbsp;
Vgs (Max)	andplusmn;20V	andnbsp;
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V	andnbsp;
FET-Funktion	-	andnbsp;
Verlustleistung (Max)	3,2 W (Ta), 116 W (Tc)	andnbsp;
Betriebstemperatur	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Güte	-	andnbsp;
Qualifizierung	-	andnbsp;
Montageart	Oberflächenmontage	andnbsp;
Lieferantengehäuse	8-VSONP (5x6)	andnbsp;
Gehäuse / Gehäuse	8-PowerTDFN	andnbsp;
Basisproduktnummer	CSD18563

andnbsp;

Zeichnung

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1. 10 Jahre Erfahrung mit Komponenten; One-Stop-Service für Stücklisten; PCB and PCBA Service.

2. Herstellung von Kommunikationsantennen, HF-Koaxialkabeln, HF-Steckern, Klemmen.

3. Vertrieb von GSM/GPRS-, GPS-, 3G-, 4G/LTE-Modulen.

Unsere hochwertigen Produkte, wettbewerbsfähigen Preise und professionellen Dienstleistungen,

sind sicher, Ihre Anforderungen an alle Arten von Komponenten zu erfüllen. ^_^

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Größe und Tag:

Ansprechpartner: Mrs. Natasha

Telefon: 86-13723770752

Faxen: 86-755-82815220

Andere Produkte

LM3410YSD/NOPB 1,6 MHz Abwärtswandler 2,7-5,5V Eingang 750mA Ausgang 92% Wirkungsgrad SOT-23-5 Gehäuse Interner Schalter 1μA Abschaltung -40°C bis +125°C für tragbare Geräte

Funktion: Fortschreiten, Abschreiten