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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7mΩ RDS ((on) 300A Strom schnelle Schaltung AEC-Q101 qualifizierte überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Paket für Automotive & Power

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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7mΩ RDS ((on) 300A Strom schnelle Schaltung AEC-Q101 qualifizierte überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Paket für Automotive & Power

Großes Bild : CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7mΩ RDS ((on) 300A Strom schnelle Schaltung AEC-Q101 qualifizierte überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Paket für Automotive & Power

Produktdetails:

Place of Origin:	China
Markenname:	TI
Zertifizierung:	CE,ROHS
Model Number:	CSD18563Q5A

Zahlung und Versand AGB:

Minimum Order Quantity:	1pcs

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Frequency Stability:	±50ppm	Frequency Tolerance:	±30ppm
Operating Temperature:	-40°C ~ 85°C	Load Capacitance:	18pF
Package / Case:	HC-49/US	Name:	Passive Electronic Components

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7 mΩ RDS(on) 300A Strom Schnelles Schalten AEC-Q101 Qualifiziert Überlegene thermische Leistung D2PAK-7 Gehäuse für Automobil & Leistung

Eigenschaften

• Ultra-Low Qg und Qgd

• Weiche Body-Diode für reduziertes Klingeln

• Niedriger thermischer Widerstand

• Lawinenfest

• Logikpegel

• Blei freie Terminalbeschichtung

• RoHS-konform

• Halogenfrei

• SON5mm×6mm Kunststoffgehäuse

Anwendungen

Low-Side-FET für industrielle Buck-Wandler

Sekundärseitiger synchroner Gleichrichter

Motorsteuerung

Beschreibung

Dieser 5,7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET™ Leistungs-MOSFET wurde entwickelt, um mit dem CSD18537NQ5A Steuer-FET gepaart zu werden und als Sync-FET für eine komplette industrielle Buck-Wandler-Chipsatzlösung zu fungieren.

INFORMATIONEN

Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Gurt & Rolle (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilstatus	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4 V @ 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (Max)	3,2 W (Ta), 116 W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Güte	-
Qualifizierung	-
Montageart	Oberflächenmontage
Lieferantengehäuse	8-VSONP (5x6)
Gehäuse / Gehäuse	8-PowerTDFN
Basisproduktnummer	CSD18563

Zeichnung

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1. 10 Jahre Erfahrung mit Komponenten; One-Stop-Service für Stücklisten; PCB & PCBA Service.

2. Herstellung von Kommunikationsantennen, HF-Koaxialkabeln, HF-Steckern, Klemmen.

3. Vertrieb von GSM/GPRS-, GPS-, 3G-, 4G/LTE-Modulen.

Unsere hochwertigen Produkte, wettbewerbsfähigen Preise und professionellen Dienstleistungen,

sind sicher, Ihre Anforderungen an alle Arten von Komponenten zu erfüllen. ^_^

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Mrs. Natasha

Telefon: 86-13723770752

Faxen: 86-755-82815220

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