SPITZE ist ein professioneller Verteiler der elektronischen Bauelemente in China.
wir bieten one-stop Lösungsservice, von den Kommunikationsmodulen, von den Antennen, von PWB, von PCBA und von allen Komponenten für PWB Bom an.
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Produktdetails:
Zahlung und Versand AGB:
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| Funktion: | Fortschreiten, Abschreiten | Ausgabekonfiguration: | Positiv oder negativ |
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| Topologie: | Buck, Boost | Ausgabetyp: | Einstellbar |
| Anzahl der Ausgänge: | 1 | ||
| Hervorheben: | AON7534 N-Kanal MOSFET,Dauer 60A MOSFET,30V N-Kanal-MOSFET |
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AON7534 30V N-Kanal MOSFET 10,5 mandOmega; Rds(on) 60A Kontinuierliche DFN5x6-8L -55 unddeg;C bis +175 unddeg;C AEC-Q101
undnbsp;
Allgemeine Beschreibung
undbull; Trench Power MOSFET-Technologie
undbull; sehr niedriges RDS ((on) bei 4,5 VGS
undbull; Low Gate Charge
undbull; Hochstromkapazität
undbull; RoHS- und halogenfrei konform
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Anwendung
undbull; Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter in der Informatik, Servern und POL
undbull; Isolierte Gleichspannungs/GleichspannungsWandler für Telekommunikation und Industrie
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Eigenschaften
Hocheffiziente Leistungsschalter
undnbsp; 30V Abflussspannung: ideal für 12V/24V-Stromversorgungssysteme
undnbsp; 60A Dauerstrom (100A pulsiert): Unterstützt Hochleistungslastantrieb
Ultra-niedriger Leitungsausfall
undnbsp; Rds ((on) = 10,5m2 (Vgs=10V): Minimiert die Stromverschwendung, erhöht die Effizienz
Optimierung der Hochfrequenzschaltung
undnbsp; Low Gate Charge (Qg=38nC): Ermöglicht eine Hochfrequenz-PWM-Steuerung (bis zu 1MHz)
Schnell wechseln: Aufstieg/Abstieg und 20 Sekunden
Zuverlässigkeit und Schutz
undnbsp; 100% Avalanche getestet: Sicherstellt Stabilität unter extremen Bedingungen
AEC-Q101 zertifiziert: Erfüllt die Zuverlässigkeitsstandards für die Automobilindustrie
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Leading Power Density: DFN5x6-8L Paket ist 80% kleiner als TO-220
Überlegene Effizienz: 30% geringerer Leitverlust im Vergleich zu 15mQ MOSFETs
Weiter Temperaturbereich: -55°C bis +175°C für raue Umgebungen
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Informationen
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Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
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Mfr
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Alpha und Omega Halbleiter Inc.
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Reihe
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Verpackung
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Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reelandreg;
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Status des Teils
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Nicht für neue Designs
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Abflussspannung zur Quelle (Vdss)
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30 V
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Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25anddeg;C
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20A (Ta), 30A (Tc)
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Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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5mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2.2V @ 250 und Mikro;A
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Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs
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22 nC @ 10 V
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Vgs (maximal)
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undplusmn;20V
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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1037 pF @ 15 V
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FET-Eigenschaft
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Leistungsausfall (maximal)
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3 W (Ta), 23 W (Tc)
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Betriebstemperatur
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Zulassung
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Qualifikation
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Typ der Montage
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Oberflächenbefestigung
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Lieferanten-Gerätepaket
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8 - DFN-EP (3x3)
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Packung / Gehäuse
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8-PowerVDFN
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Basisproduktnummer
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AON75
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Zeichnung
![]()
Unser Vorteil:
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Sie müssen sicherstellen, dass alle Komponenten, die Sie benötigen, erfüllt werden.- Ja.
Liste der Produkte
Wir liefern eine Reihe von elektronischen Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktive und passive Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die PCB zu bekommen.
Die Angebote umfassen:
Integrierte Schaltung, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer und Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Endblock,Kristall- und Stärker■ Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED,LCD, Konverter, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB-Assembly)
Starke Marke:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, im Rahmen der Durchführung der Verordnung (EG) Nr. 1225/2009 eine Reihe von Maßnahmen zu ergreifen, um die Auswirkungen dieser Verordnung auf die Wettbewerbsfähigkeit der Union zu verbessern.
Ansprechpartner: Mrs. Natasha
Telefon: 86-13723770752
Faxen: 86-755-82815220