PBSS5130T-QR 30V 5A PNP Transistor Low VCE(sat) 85mV High Current Gain SOT-223 Gehäuse Automobilqualität AEC-Q101 Für Lastschaltung und Motorsteuerung

PBSS5130T-QR 30V 5A PNP Transistor Low VCE(sat) 85mV High Current Gain SOT-223 Gehäuse Automobilqualität AEC-Q101 Für Lastschaltung und Motorsteuerung

Eigenschaften

• Kleines SMD-Kunststoffgehäuse

• Geringe Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat

• Hohe Kollektorstrombelastbarkeit: IC und ICM

• Höherer Wirkungsgrad durch geringere Wärmeentwicklung

• Qualifiziert nach AEC-Q101 und für den Einsatz in Automobilanwendungen empfohlen

Anwendungen

• DC-DC-Wandlung

• Stromleitungsschaltung

• Batterieladegerät

• LCD-Hintergrundbeleuchtung

• Treiber in Niederspannungsanwendungen (z. B. Lampen und LEDs)

Beschreibung

Der PBSS5130T-QR ist ein hochleistungsfähiger, für den Automobilbereich geeigneter PNP-Bipolartransistor (BJT), der für Hochstromschalt- und Steueranwendungen in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von 30 V und eine Dauer-Kollektorstrombelastbarkeit von 5 A. Sein Hauptvorteil ist eine extrem niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von typischerweise 85 mV bei hohem Strom, wodurch Leistungsverluste und Wärmeentwicklung minimiert werden, wenn der Transistor vollständig eingeschaltet ist. Diese hohe Effizienz, kombiniert mit einer guten Stromverstärkung, macht ihn leicht ansteuerbar. Er ist in einem thermisch verbesserten SOT-223 (SC-73) Oberflächenmontagegehäuse verpackt und nach AEC-Q101-Standards qualifiziert und bietet eine robuste und kompakte Lösung für Automobil- und Industriesysteme.

INFORMATIONEN

Zeichnung

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Produktliste
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