FM25CL64B-GTR 64-Kb-Serien-F-RAM mit 20 MHz SPI, verzögerungsfreies Schreiben, 10^14 Ausdauer, 151 Jahre Datenerhaltung, 2,0-3,6 V Betrieb, -40 °C bis +85 °C und kleines SOIC-Gehäuse

FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM mit 20MHz SPI No-Delay Writes 10^14 Langlebigkeit 151 Jahre Datenspeicherung 2,0-3,6V Betrieb bei -40°C bis +85°C und Small SOIC Package

Eigenschaften

■ 64-Kbit-ferroelektrischer Zufallsspeicher (F-RAM), logisch als 8K × 8 organisiert

️ Hochleistungs- 100 Billionen (1014) Lesen/Schreiben

- Aufbewahrung von Daten für 151 Jahre (siehe Aufbewahrung und Dauer von Daten auf Seite 12)

NoDelayTM schreibt

¢ Ferroelektrische Verfahren mit hoher Zuverlässigkeit

■ Sehr schnelle serielle Peripherieoberfläche (SPI)

Frequenz bis 20 MHz

- Direktes Hardwareersatz für serielle Flash- und EEPROM-Systeme

Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

■ Ein anspruchsvolles Schreibschutzsystem

- Software-Schutz unter Verwendung der Anweisung Schreiben deaktivieren

- Software-Block-Schutz für 1/4, 1/2 oder ganze Array

■ Niedriger Stromverbrauch

Aktiver Strom bei 1 MHz

️ 3 ️A (typischer) Standbystrom

■ Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V

■ Industrie­Temperatur: von 40 °C bis +85 °C

■ Pakete

¢ 8-Pin-Package für kleine integrierte Schaltkreise (SOIC)

■ Einschränkung gefährlicher Stoffe (RoHS)

Anwendungen

1Industrieautomation und Steuerungssysteme

Beispiele: Programmierbare Logiksteuerungen (PLC), intelligente Sensoren, Antriebe, Industrieroboter.

Warum ist es geeignet?: Diese Systeme müssen ständig und schnell Betriebsparameter, Ereignisprotokolle, Fehlerdaten oder Produktionszahlen protokollieren.Verzögerungsfrei schreibt sicherzustellen, dass kritische Daten vollständig auch im Moment des Stromausfalls gespeichert wird, wodurch Datenverlust durch Schreibverzögerungen verhindert wird.

2. Automobil-Elektronik

Beispiele: Ereignisdatenerfassungssysteme (EDR) in ADAS, schwarze Kisten für Automobilindustrie, Instrumentencluster, Karosserie-Steuerungsmodule.

Warum ist es geeignet?: Erfordert eine sofortige Protokollierung großer Mengen an Sensordaten bei einem Unfall oder plötzlichen Stromausfall.Seine hohe Langlebigkeit eignet sich auch für häufig aktualisierte Daten wie Kilometerzahl oder Türöffnung/Schließzählung.

3. Medizinische Ausrüstung

Beispiele: tragbare medizinische Geräte (z. B. Glukosemessgeräte, Herzfrequenzmessgeräte), implantierbare Geräte, Diagnosegeräte.

Warum ist es geeignet?: Die Geräte müssen Patientendaten, Nutzungsprotokolle und Kalibrierinformationen zuverlässig aufzeichnen.Der geringe Stromverbrauch und die hohe Zuverlässigkeit des F-RAM sind für die Datensicherheit und den langfristigen stabilen Betrieb von entscheidender Bedeutung.

4. Intelligente Mess- und Messsysteme

Beispiele: intelligente Stromzähler, Wasserzähler, Gaszähler.

Warum ist es geeignet?: erfordert die Aktualisierung der kumulativen Nutzungsdaten alle paar Sekunden und die Speicherung des Endwerts unmittelbar vor Stromausfall.Tägliche häufige Schreibvorgänge stellen eine große Herausforderung für EEPROM dar, aber kein Problem für F-RAM.

5. Datenlogger

Beispiele: Umweltüberwachung (Temperatur, Luftfeuchtigkeit, Druckmessgeräte), GPS-Tracker.

Warum ist es geeignet?: Diese Anwendungen erfordern eine kontinuierliche Protokollierung von Datenströmen mit hohen Frequenzen.Die hohe Schreibgeschwindigkeit und die unendliche Langlebigkeit des F-RAM ermöglichen eine nahtlose Datenerfassung ohne das Risiko von Datenverlusten oder Engpässen, die durch Schreibverzögerungen im EEPROM verursacht werden.

6. High-End-Verbraucherelektronik

Beispiele: Professionelle Audiogeräte, Smart Home-Hubs, Spielekomponenten.

Warum ist es geeignet?: Wenn eine schnelle Speicherung der Benutzer-Einstellungen, des Spielzustands oder Echtzeit-Sensordaten erforderlich ist, bietet F-RAM ein reibungsloseres und zuverlässigeres Erlebnis als EEPROM.

Beschreibung

Der FM25CL64B ist ein 64-Kbit-nichtflüchtiger Speicher, der einen fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess verwendet.Es bietet eine zuverlässige Aufbewahrung der Daten für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Overhead- und Systemsicherheitsprobleme, die durch seriellen Blitz, EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursacht werden.

Im Gegensatz zu seriellem Blitz und EEPROM führt der FM25CL64B Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durch.Die Daten werden sofort nach der erfolgreichen Übertragung jedes Byte auf das Gerät in das Speicherarray geschriebenDas Produkt bietet im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine beträchtliche Schreibdauer.Der FM25CL64B unterstützt 1014 Lese-/Schreibzyklen, oder 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM.

Diese Fähigkeiten machen den FM25CL64B ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufiges oder schnelles Schreiben erfordern.wenn die Anzahl der Schreibzyklen kritisch sein kann, zu anspruchsvollen industriellen Steuerungen, bei denen die lange Schreibzeit von seriellem Flash oder EEPROM zu Datenverlusten führen kann.

Der FM25CL64B bietet den Nutzern von seriellen EEPROM oder Flash als Hardware-Ersatz erhebliche Vorteile. Der FM25CL64B verwendet den Hochgeschwindigkeits-SPI-Bus,die die Schreibfähigkeit der F-RAM-Technologie mit hoher Geschwindigkeit verbessertDie Spezifikationen des Geräts sind über einen industriellen Temperaturbereich von 40 °C bis + 85 °C garantiert.

Informationen

Zeichnung

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Starke Marke:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, im Rahmen der Durchführung der Verordnung (EG) Nr. 765/2008 eine Reihe von Maßnahmen zu ergreifen, um die Auswirkungen dieser Verordnung auf die Wettbewerbsfähigkeit der Union zu verbessern.