FM25CL64B-GTR 64-Kb-Serien-F-RAM mit 20 MHz SPI, verzögerungsfreies Schreiben, 10^14 Ausdauer, 151 Jahre Datenerhaltung, 2,0-3,6 V Betrieb, -40 °C bis +85 °C und kleines SOIC-Gehäuse

FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM mit 20MHz SPI, No-Delay-Schreibvorgänge, 10^14 Ausdauer, 151 Jahre Datenhaltung, 2,0-3,6V Betrieb, -40°C bis +85°C und kleines SOIC-Gehäuse

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Eigenschaften

■ 64-Kbit ferroelektrischer Random-Access-Speicher (F-RAM), logisch organisiert als 8K undtimes; 8

andnbsp; ❐ Hohe Ausdauer: 100 Billionen (1014) Lese-/Schreibvorgänge

andnbsp; ❐ 151 Jahre Datenhaltung (siehe Datenhaltung und Ausdauer auf Seite 12)

andnbsp; ❐ NoDelayandtrade; Schreibvorgänge

andnbsp; ❐ Fortschrittliches, hochzuverlässiges ferroelektrisches Verfahren

■ Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)

andnbsp; ❐ Bis zu 20 MHz Frequenz

andnbsp; ❐ Direkter Hardware-Ersatz für seriellen Flash und EEPROM

andnbsp; ❐ Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

■ Ausgeklügeltes Schreibschutzschema

andnbsp; ❐ Hardwareschutz mit dem Write Protect (WP )-Pin

andnbsp; ❐ Softwareschutz mit dem Write Disable-Befehl

andnbsp; ❐ Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder das gesamte Array

■ Geringer Stromverbrauch

andnbsp; ❐ 200 A aktiver Strom bei 1 MHz

andnbsp; ❐ 3 A (typisch) Standby-Strom

■ Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V

■ Industrieller Temperaturbereich: andndash;40 C bis +85 C

■ Gehäuse

andnbsp; ❐ 8-poliges Small Outline Integrated Circuit (SOIC)-Gehäuse

andnbsp; ❐ 8-poliges Thin Dual Flat No Leads (DFN)-Gehäuse

■ RoHS-konform (Restriction of Hazardous Substances)

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Anwendungen

1. Industrieautomatisierung & Steuerungssysteme

Beispiele: SPS (Speicherprogrammierbare Steuerungen), intelligente Sensoren, Motorantriebe, Industrieroboter.

Warum es geeignet ist: Diese Systeme müssen kontinuierlich und schnell Betriebsparameter, Ereignisprotokolle, Fehlerdaten oder Produktionszählungen protokollieren. Die extrem hohe Ausdauer und die schnellen, verzögerungsfreien Schreibvorgänge des F-RAM gewährleisten, dass kritische Daten vollständig gespeichert werden, selbst im Moment des Stromausfalls, wodurch Datenverluste aufgrund von Schreibverzögerungen verhindert werden.

2. Automobilelektronik

Beispiele: Event Data Recorder (EDR) in ADAS, Kfz-Blackboxes, Instrumententafeln, Karosseriesteuermodule.

Warum es geeignet ist: Benötigt sofortiges Protokollieren großer Mengen von Sensordaten während eines Unfalls oder plötzlichen Stromausfalls. Die schnelle Schreibeigenschaft des F-RAM ist ideal. Seine hohe Ausdauer eignet sich auch für häufig aktualisierte Daten wie Kilometerstand oder Türöffnungs-/Schließzählungen.

3. Medizinische Geräte

Beispiele: Tragbare medizinische Monitore (z. B. Blutzuckermessgeräte, Herzfrequenzmonitore), implantierbare Geräte, Diagnosegeräte.

Warum es geeignet ist: Geräte müssen Patientendaten, Nutzungsprotokolle und Kalibrierungsinformationen zuverlässig aufzeichnen. Der geringe Stromverbrauch und die hohe Zuverlässigkeit des F-RAM sind entscheidend für Datensicherheit und langfristig stabilen Betrieb.

4. Intelligente Mess- und Messsysteme

Beispiele: Intelligente Stromzähler, Wasserzähler, Gaszähler.

Warum es geeignet ist: Erfordert die Aktualisierung kumulativer Nutzungsdaten alle paar Sekunden und das sofortige Speichern des Endwerts vor einem Stromausfall. Tägliche, häufige Schreibvorgänge sind eine erhebliche Herausforderung für EEPROM, stellen aber kein Problem für F-RAM dar.

5. Datenlogger

Beispiele: Umweltüberwachung (Temperatur-, Feuchtigkeits-, Drucklogger), GPS-Tracker.

Warum es geeignet ist: Diese Anwendungen erfordern die kontinuierliche Protokollierung von Datenströmen mit hohen Frequenzen. Die hohe Schreibgeschwindigkeit und die unendliche Ausdauer des F-RAM ermöglichen eine nahtlose Datenprotokollierung ohne das Risiko von Datenverlusten oder Engpässen, die durch Schreibverzögerungen in EEPROM verursacht werden.

6. High-End-Unterhaltungselektronik

Beispiele: Professionelle Audiogeräte, Smart-Home-Hubs, Gaming-Peripheriegeräte.

Warum es geeignet ist: Wenn schnelles Speichern von Benutzereinstellungen, Spielzustand oder Echtzeit-Sensordaten erforderlich ist, bietet F-RAM eine reibungslosere und zuverlässigere Erfahrung als EEPROM.

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Beschreibung

Der FM25CL64B ist ein 64-Kbit-Nichtflüchtiger-Speicher, der ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren verwendet. Ein ferroelektrischer Random-Access-Speicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Er bietet eine zuverlässige Datenhaltung für 151 Jahre und eliminiert gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursacht werden.

Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM führt der FM25CL64B Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es treten keine Schreibverzögerungen auf. Daten werden unmittelbar nach der erfolgreichen Übertragung jedes Bytes an das Gerät in das Speicherarray geschrieben. Der nächste Buszyklus kann ohne Datenabfrage beginnen. Darüber hinaus bietet das Produkt eine erhebliche Schreibausdauer im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern. Der FM25CL64B kann 1014 Lese-/Schreibzyklen oder 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM unterstützen.

Diese Fähigkeiten machen den FM25CL64B ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder schnelle Schreibvorgänge erfordern. Die Beispiele reichen von der Datenerfassung, bei der die Anzahl der Schreibzyklen kritisch sein kann, bis hin zu anspruchsvollen industriellen Steuerungen, bei denen die lange Schreibzeit von seriellem Flash oder EEPROM zu Datenverlusten führen kann.

Der FM25CL64B bietet Anwendern von seriellem EEPROM oder Flash erhebliche Vorteile als Hardware-Drop-in-Ersatz. Der FM25CL64B verwendet den Hochgeschwindigkeits-SPI-Bus, der die Hochgeschwindigkeits-Schreibfähigkeit der F-RAM-Technologie verbessert. Die Gerätespezifikationen sind über einen industriellen Temperaturbereich von andndash;40 C bis +85 C garantiert.

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INFORMATIONEN

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