IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET mit ultra-niedrigem 4,5 mΩ Rds(on) TO-220 Gehäuse Logic-Level-Ansteuerung Lawinenfestigkeit Schnelles Schalten Hoher Wirkungsgrad Robustes Design für Motorsteuerung and Stromversorgungssysteme

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET mit ultra-niedrigem 4,5 mΩ Rds(on) TO-220 Gehäuse Logic-Level-Ansteuerung Lawinenfestigkeit Schnelles Schalten Hohe Effizienz Robustes Design für Motorsteuerung und Leistungssysteme

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Eigenschaften

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Schlüsselparameter optimiert für PDP-Sustain-, Energierückgewinnungs- und Pass-Switch-Anwendungen

Niedrige EPULSE-Bewertung zur Reduzierung der Verlustleistung in PDP-Sustain-, Energierückgewinnungs- und Pass-Switch-Anwendungen

Niedriges QG für schnelles Ansprechverhalten

Hohe wiederholte Spitzenstrombelastbarkeit für zuverlässigen Betrieb

Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten

175 °C Betriebstemperatur für verbesserte Robustheit

Wiederholte Lawinenfestigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Class-D-Audioverstärker 300W-500W (Halbbrücke)

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Anwendungen

1:Motorantrieb und -steuerung:

Dies ist sein typischstes Anwendungsszenario. Seine hohe Spannung (200 V), der extrem hohe Strom (195 A) und der ultra-niedrige Einschaltwiderstand (4,5 mΩ) machen ihn hocheffizient für den Antrieb und die Steuerung von Hochleistungs-Gleichstrommotoren, bürstenlosen Gleichstrommotoren (BLDC) und Servomotoren. Er wird häufig in der Industrieautomatisierung, Robotik, Elektrofahrzeugen (z. B. Motorsteuerungen), Drohnen-ESCs (Electronic Speed Controllers) und mehr eingesetzt.

2:Schaltnetzteil (SMPS):
Besonders geeignet für Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler mit hohem Stromausgang, synchrone Gleichrichtung und Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Schaltungen. Sein niedriger Rds(on) reduziert die Leitungsverluste erheblich und verbessert den Gesamtwirkungsgrad des Netzteils.

3:Leistungsinverter:
Eine ideale Wahl für Wechselrichterbrücken in Solar-Photovoltaik-Wechselrichtern, USV (unterbrechungsfreie Stromversorgung), Frequenzumrichtern und Schweißmaschinen, wo er Gleichstrom in Wechselstrom umwandelt.

4:Hochstromschalten und Lastschalten:
Kann zum Bau von Festkörperrelais, elektronischen Lastschaltern und anderen Geräten zur Steuerung von Hochleistungs-Gleichstromlasten verwendet werden.

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Beschreibung

Dieser HEXFETandreg; Power MOSFET wurde speziell für Sustain-, Energierückgewinnungs- und Pass-Switch-Anwendungen in Plasma-Display-Panels entwickelt. Dieser MOSFET verwendet die neueste Verarbeitungstechnologie, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche und eine niedrige EpuLsE-Bewertung zu erzielen. Zusätzliche Merkmale dieses MOSFET sind eine Betriebstemperatur von 175 °C und eine hohe wiederholte Spitzenstrombelastbarkeit. Diese Merkmale zusammen machen diesen MOSFET zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässigen Gerät für PDP-Anwendungen.

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INFORMATIONEN

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Zeichnung

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