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BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. zertifizierungen
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BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz

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BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz

Großes Bild :  BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: ON Semiconductor
Zertifizierung: CE, GCF, ROHS
Modellnummer: BSS123LT1G
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Zuerst in Originalschale verpackt, dann Carton, endlich Bubble Bag für das äußere Verpacken
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage nach Erhalt der Zahlung
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Prozent pro Monat
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Funktion: Fortschreiten, Abschreiten Ausgabekonfiguration: Positiv oder negativ
Topologie: Buck, Boost Ausgangstyp: Einstellbar
Anzahl der Ausgänge: 1
Hervorheben:

N-Channel MOSFET 20V VDS

,

low power switching MOSFET

,

SOT-23 package MOSFET

BSS123LT1G N-Kanal MOSFET Low 170mandOmega; RDS(on) 20V VDS 100V Avalanche-bewertet Ideal für das Schalten von Lasten mit geringer Leistung und DC-DC-Wandlung mit seinem SOT-23-Gehäuse und ESD-Schutz

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Eigenschaften

andbull;HBM Klasse 0A, MM Klasse M1B (Hinweis 4)

andbull;BVSS Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern; AECandminus;Q101 qualifiziert und PPAP-fähig

andbull;Diese Geräte sind Pbandminus;frei und RoHS-konform

andnbsp;

Anwendungen

  • Lastschaltung: Steuerung des Ein-/Ausschaltens für Abschnitte einer Schaltung.

  • Pegelverschiebung: Umwandlung von Signalen zwischen Schaltungen mit unterschiedlichen Spannungsbereichen (z. B. Umwandlung eines 3,3-V-Signals in 5 V).

  • LED-Ansteuerung: Fungiert als Schalter zur Steuerung der Ein-/Aus-Zustände von LEDs oder für einfaches PWM-Dimmen.

  • Logik-Interface-Pufferung/Ansteuerung: Verbesserung der Ansteuerfähigkeit von Mikrocontroller-GPIO-Pins zur Ansteuerung größerer Lasten.

  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung: Verwendung in der sekundärseitigen synchronen Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, DC-DC-Wandlern (geringe Leistung).

  • Unterhaltungselektronik: Tragbare Geräte wie Mobiltelefone, Tablets, Digitalkameras.

  • Automobil-Elektronik: Karosseriesteuermodule, Sensorschnittstellen usw. (Hinweis: Überprüfen Sie, ob das spezifische Teil AEC-qualifiziert ist; der BSS123LT1G ist typischerweise für Industrie-/Gewerbezwecke geeignet).

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Beschreibung

1:Niedrige Schwellenspannung (Vgs(th)): Typischerweise zwischen 1,6 V und 2,1 V, was bedeutet, dass er direkt mit niedrigen Spannungen (z. B. 3,3 V oder sogar 2,5 V

GPIO von einem Mikrocontroller) angesteuert werden kann, was ihn ideal für Logikpegelanwendungen macht.

2:Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)): Maximal nur 6andOmega; bei 10 V Vgs und 10andOmega; bei 4,5 V Vgs. Ein niedrigerer RDS(on) bedeutet weniger Leistungsverluste und Spannungsabfall

beim Einschalten, was zu einem höheren Wirkungsgrad führt.

3:Kleines Gehäuse (SOT-23): Sehr geringe Stellfläche, spart Leiterplattenfläche, ideal für moderne, kompakte Elektronik.

4:Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung: Bietet schnelle Schaltgeschwindigkeiten, geeignet für Anwendungen, die häufiges Schalten erfordern, wie z. B. PWM-

Steuerung.

5:Dauer-Drain-Strom (Id): Bis zu 170 mA, geeignet zur Steuerung kleiner Lasten wie LEDs, kleiner Relais, Motoren usw.

6:Drain-Source-Spannung (Vdss): Maximal 100 V, wodurch die Verwendung in Schaltungen mit relativ höheren Spannungen ermöglicht wird.

andnbsp;

INFORMATIONEN

Kategorie
Hersteller
Serie
-
Verpackung
Tape and Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reelandreg;
Teilstatus
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25anddeg;C
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Vgs (Max)
andplusmn;20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
20 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (Max)
225mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
Qualität
-
Qualifizierung
-
Montageart
Oberflächenmontage
Gehäuse des Lieferantengeräts
SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Gehäuse
Basisproduktnummer

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Zeichnung

BSS123LT1G N-Channel MOSFET Niedrig 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal für Schaltlastschaltungen mit geringer Leistung und Gleichspannungsumwandlung mit seinem SOT-23-Paket und ESD-Schutz 0

Unser Vorteil :Telefone, PDAs, Notebooks

  • Hochwertige Produkte --- Unsere Angebote sind 100% neu und original, ROHS
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  • Professioneller Service --- Strenge Qualitätsprüfung vor dem Versand und perfekter Kundendienst nach dem Kauf.
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Produktliste
Liefern Sie eine Reihe von elektronischen Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktiven und passiven Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu erhalten. Kurz gesagt, Sie können hier eine Komplettlösung erhalten,


Die Angebote umfassen:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer and Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Kristall and Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Konverter, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)

Stark in der Marke:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.

Kontaktdaten
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Ansprechpartner: Mrs. Natasha

Telefon: 86-13723770752

Faxen: 86-755-82815220

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