SPITZE ist ein professioneller Verteiler der elektronischen Bauelemente in China.
wir bieten one-stop Lösungsservice, von den Kommunikationsmodulen, von den Antennen, von PWB, von PCBA und von allen Komponenten für PWB Bom an.
Produktdetails:
Zahlung und Versand AGB:
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Funktion: | Fortschreiten, Abschreiten | Ausgabekonfiguration: | Positiv oder negativ |
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Topologie: | Buck, Boost | Ausgangstyp: | Einstellbar |
Anzahl der Ausgänge: | 1 | ||
Hervorheben: | 190A Leistungs-MOSFET 100V,Ultra-Low Rds(on) TO-264 MOSFET,Leistungs-MOSFET mit hoher Leistungsdichte |
IRFI4019HG-117P 190A Leistungs-MOSFET 100V Ultra-Low Rds(on) 1,9 mΩ TO-264 Hohe Effizienz Robustes Verhalten Überlegenes Wärmemanagement und hohe Leistungsdichte für anspruchsvolle Anwendungen
Merkmale
Integriertes Half-Bridge-Gehäuse
Reduziert die Teileanzahl um die Hälfte
Ermöglicht ein besseres Leiterplattenlayout
Schlüsselparameter optimiert für Class-D-Audioverstärkeranwendungen
Niedriger RDS(ON) für verbesserte Effizienz
Niedriges Qg und Qsw für besseren THD und verbesserte Effizienz
Niedriges Qrr für besseren THD und geringere EMI
Kann bis zu 200 W pro Kanal in eine 8-Ω-Last in einem Half-Bridge-Konfigurationsverstärker liefern
Bleifreies Gehäuse
Halogenfrei
Anwendungen
Beschreibung
Dieser digitale Audio-MosFET-Half-Bridge wurde speziell für Class-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Er besteht aus zwei Leistungs-MosFET-Schaltern, die in einer Half-Bridge-Konfiguration verbunden sind. Der neueste Prozess wird verwendet, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus werden Gate-Ladung, Body-Diode-Rückwärtswiederherstellung und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Leistungsfaktoren von Class-D-Audioverstärkern wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Diese Kombination macht diesen Half-Bridge zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässigen Bauelement für Class-D-Audioverstärkeranwendungen.
INFORMATIONEN
Kategorie
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Hersteller
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Infineon Technologies
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Serie
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-
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Verpackung
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Rohr
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Teilestatus
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Veraltet
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Konfiguration
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2 N-Kanal (Dual)
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FET-Merkmal
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-
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
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150V
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Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25°C
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8,7A
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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95 mOhm @ 5,2 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4,9 V @ 50 µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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20 nC @ 10 V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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810 pF @ 25 V
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Leistung - Max
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18W
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Betriebstemperatur
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montageart
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Durchsteckmontage
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Gehäuse / Gehäuse
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TO-220-5 Full Pack, geformte Anschlüsse
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Gehäuse des Lieferantengeräts
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TO-220-5 Full-Pak
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Basisproduktnummer
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Zeichnung
Unser Vorteil:
Stellen Sie sicher, dass Sie alle Arten von Komponenten benötigen.^_^
Produktliste
Liefern Sie eine Reihe von elektronischen Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktiven und passiven Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu erhalten. Kurz gesagt, Sie können hier eine Komplettlösung erhalten,
Die Angebote umfassen:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer & Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Quarz & Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Konverter, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)
Stark in der Marke:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.
Ansprechpartner: Mrs. Natasha
Telefon: 86-13723770752
Faxen: 86-755-82815220