SPITZE ist ein professioneller Verteiler der elektronischen Bauelemente in China.
wir bieten one-stop Lösungsservice, von den Kommunikationsmodulen, von den Antennen, von PWB, von PCBA und von allen Komponenten für PWB Bom an.
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Produktdetails:
Zahlung und Versand AGB:
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| Funktion: | Fortschreiten, Abschreiten | Ausgabekonfiguration: | Positiv oder negativ |
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| Topologie: | Buck, Boost | Ausgangstyp: | Einstellbar |
| Anzahl der Ausgänge: | 1 | ||
| Hervorheben: | 190A Leistungs-MOSFET 100V,Ultra-Low Rds(on) TO-264 MOSFET,Leistungs-MOSFET mit hoher Leistungsdichte |
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IRFI4019HG-117P 190A Leistungs-MOSFET 100V Ultra-Low Rds(on) 1,9 mΩ TO-264 Hocheffizienz Robustes Verhalten Überlegenes Wärmemanagement und hohe Leistungsdichte für anspruchsvolle Anwendungen
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Eigenschaften
Integriertes Halbbrücken-Gehäuse
Reduziert die Teileanzahl um die Hälfte
Ermöglicht ein besseres Leiterplattenlayout
Schlüsselparameter optimiert für Class-D-Audioverstärker-Anwendungen
Niedriger RDS(ON) für verbesserte Effizienz
Niedriges Qg und Qsw für besseren THD und verbesserte Effizienz
Niedriges Qrr für besseren THD und geringere EMI
Kann bis zu 200 W pro Kanal in eine 8-Ω-Last in einer Halbbrückenkonfigurationsverstärker liefern
Bleifreies Gehäuse
Halogenfrei
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Anwendungen
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Beschreibung
Dieser digitale Audio-MosFET-Halbbrücke wurde speziell für Class-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Er besteht aus zwei Leistungs-MosFET-Schaltern, die in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden sind. Der neueste Prozess wird verwendet, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus werden Gate-Ladung, Body-Diode-Rückwärtswiederherstellung und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Leistungsfaktoren von Class-D-Audioverstärkern wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Diese Kombination macht diese Halbbrücke zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässigen Gerät für Class-D-Audioverstärkeranwendungen.
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INFORMATIONEN
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Kategorie
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Hersteller
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Infineon Technologies
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Serie
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Verpackung
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Rohr
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Teilestatus
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Veraltet
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Konfiguration
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2 N-Kanal (Dual)
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FET-Merkmal
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
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150V
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Strom - Dauer-Drain (Id) bei 25 °C
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8,7A
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Rds On (Max) bei Id, Vgs
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95 mOhm bei 5,2 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) bei Id
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4,9 V bei 50 µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs
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20 nC bei 10 V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
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810 pF bei 25 V
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Leistung - Max
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18W
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Betriebstemperatur
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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Montageart
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Durchsteckmontage
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Gehäuse / Gehäuse
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TO-220-5 Full Pack, geformte Anschlüsse
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Gehäuse des Lieferantengeräts
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TO-220-5 Full-Pak
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Basisproduktnummer
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Zeichnung
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Unser Vorteil:
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sicherstellen, dass Sie Ihre Anforderungen an alle Arten von Komponenten erfüllen.^_^
Produktliste
Liefern Sie eine Reihe von elektronischen Komponenten, eine vollständige Palette von Halbleitern, aktiven und passiven Komponenten. Wir können Ihnen helfen, alles für die Stückliste der Leiterplatte zu erhalten. Mit einem Wort, Sie können hier eine Komplettlösung erhalten,
Die Angebote umfassen:
Integrierter Schaltkreis, Speicher-ICs, Diode, Transistor, Kondensator, Widerstand, Varistor, Sicherung, Trimmer und Potentiometer, Transformator, Batterie, Kabel, Relais, Schalter, Stecker, Klemmenblock, Kristall und Oszillator, Induktor, Sensor, Transformator, IGBT-Treiber, LED, LCD, Konverter, Leiterplatte (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)
Stark in der Marke:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK usw.
Ansprechpartner: Mrs. Natasha
Telefon: 86-13723770752
Faxen: 86-755-82815220