TEA1995T Synchrongleichrichter-Controller für SMPS Hohe Effizienz 15µA Anlauf 650µA Betrieb CCM/DCM/QR-Modus 200kHz Max. Erweiterter Schutz

TEA1995T Synchrongleichrichter-Controller für SMPS Hohe Effizienz 15andmicro;A Anlauf 650andmicro;A Betrieb CCM/DCM/QR-Modus 200kHz Max. Erweiterter Schutz

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Merkmale

2.1 Effizienzmerkmale

andbull; Adaptiver Gate-Treiber für maximale Effizienz bei jeder Last

andbull; Versorgungsstrom im Energiesparbetrieb unter 200 andmu;A

2.2 Anwendungsmerkmale

andbull; Großer Versorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 38 V

andbull; Duale Synchrongleichrichtung für LLC-Resonanz in SO8-Gehäuse

andbull; Synchrongleichrichtung für Multi-Output-Flyback-Wandler

andbull; Unterstützt 5 V Betrieb mit Logikpegel-SR-MOSFETs

andbull; Differenzeingänge zur Erfassung der Drain- und Source-Spannungen jedes SR-MOSFETs

2.3 Steuerungsmerkmale

andbull; SR-Steuerung ohne Mindest-Einschaltzeit

andbull; Adaptiver Gate-Treiber für schnelles Abschalten am Ende der Leitung

andbull; Unterspannungs-LockOut (UVLO)-Schutz mit aktiver Gate-Pull-Down

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Anwendungen

Der TEA1995T ist für Resonanz-Netzteile vorgesehen. In solchen Anwendungen kann er zwei externe Synchrongleichrichter-MOSFETs für die Gleichrichtung der Spannungen an den beiden Sekundärwicklungen des Transformators ansteuern. Diese MOSFETs ersetzen Dioden. Er kann in allen Netzteilen verwendet werden, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern:

andbull; Adapter

andbull; Netzteile für Desktop-PCs und All-in-One-PCs

andbull; Netzteile für Fernseher

andbull; Netzteile für Server

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Beschreibung

Der TEA1995T ist das erste Produkt einer neuen Generation von Synchrongleichrichter (SR)-Controller-ICs für Schaltnetzteile. Er enthält eine adaptive Gate-Treiber-Methode für maximale Effizienz bei jeder Last.

Der TEA1995T ist ein dedizierter Controller-IC für die Synchrongleichrichtung auf der Sekundärseite von Resonanzwandlern. Er verfügt über zwei Treiberstufen zum Ansteuern der SR-MOSFETs, die die Ausgänge der zentralen Abgriff-Sekundärtransformatorwicklungen gleichrichten. Die beiden Gate-Treiberstufen haben ihre eigenen Sensoreingänge und arbeiten unabhängig voneinander.

Der TEA1995T kann auch in Multi-Output-Flyback-Wandlern verwendet werden, wobei der SR-MOSFET auf der Low-Side platziert wird.

Der TEA1995T wird in einem Silicon-On-Insulator (SOI)-Verfahren hergestellt.

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INFORMATIONEN

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Zeichnung

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