Ultra-Low Rds(on) 0,02Ω IRF4905PBF P-Kanal -55A -60V TO-220 Gehäuse
Produktattribute
| Attribut |
Wert |
| Funktion |
Step-Up, Step-Down |
| Ausgangskonfiguration |
Positiv oder Negativ |
| Topologie |
Buck, Boost |
| Ausgangstyp |
Einstellbar |
| Anzahl der Ausgänge |
1 |
Produktbeschreibung
Ultra-Low Rds(on) 0,02 Ω IRF4905PBF P-Kanal -55A -60V TO-220 Gehäuse Hoher Strom Robust Lawinenfest Logikpegel Gate Geringe Gate-Ladung 110nC Schnelles Schalten Hohe Leistungseffizienz
Eigenschaften
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Ultra-niedriger Einschaltwiderstand
- Dynamische dv/dt-Bewertung
- 175°C Betriebstemperatur
- Schnelles Schalten
- P-Kanal
- Vollständig lawinenfest
- Bleifrei
Anwendungen
- Leistungsschaltung: Wird oft in Stromverteilungssystemen wie Motherboards, Servern und Kommunikationsgeräten als High-Side-Schalter verwendet, um das Ein-/Ausschalten anderer Schaltkreise zu steuern. Es bietet hohe Effizienz und geringen Spannungsabfall.
- Motorantrieb und -steuerung: Geeignet zum Ansteuern von Hochleistungs-Gleichstrommotoren, wie sie in Robotik, Industrieautomatisierung und Elektrowerkzeugen eingesetzt werden. Es wird häufig in H-Brücken-Konfigurationen für Vorwärts-/Rückwärtsdrehung und Drehzahlregelung verwendet.
- DC-DC-Wandler (Buck/Boost): In synchronen, gleichrichterbasierten Leistungswandlerschaltungen kann er als High-Side-Schalter dienen. Er eignet sich besonders für Anwendungen mit niedriger Eingangsspannung (<60V), aber hohen Stromanforderungen, wodurch die Verlustleistung reduziert und der Gesamtwirkungsgrad verbessert wird.
- Batterieschutz und -management: Als P-MOS ist er inhärent für das Lastschalten in batteriebetriebenen Geräten geeignet. Er wird häufig in Lithium-Batterieschutzschaltungen und BMS (Batteriemanagementsystemen) verwendet, um Lade- und Entladepfade zu verwalten. Sein geringer Widerstand hilft, die Wärmeentwicklung zu reduzieren und die Batterielebensdauer zu verlängern.
- Wechselrichter und USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Wird zum Leistungsschalten und Freilauf in kleinen bis mittelgroßen Wechselrichterbrücken und Notstromsystemen verwendet.
Detaillierte Beschreibung
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.
Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO 220 tragen zu seiner weiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.
Technische Daten
| Kategorie |
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzel-FETs, MOSFETs |
| Hersteller |
Infineon Technologies |
| Serie |
HEXFET® |
| Verpackung |
Rohr |
| Teilestatus |
Aktiv |
| FET-Typ |
P-Kanal |
| Technologie |
MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
55 V |
| Strom - Dauer-Drain (Id) bei 25°C |
74A (Tc) |
| Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs |
20 mOhm bei 38A, 10V |
| Vgs(th) (Max) bei Id |
4V bei 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs |
180 nC bei 10 V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds |
3400 pF bei 25 V |
| FET-Funktion |
- |
| Verlustleistung (Max) |
200W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Güte |
- |
| Qualifizierung |
- |
| Montageart |
Durchgangsloch |
| Gehäuse des Lieferantengeräts |
TO-220AB |
| Gehäuse / Gehäuse |
TO-220-3 |
| Basisproduktnummer |
IRF4905 |
Produktzeichnung
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