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CSD17304Q3 30V N-Kanal NexFETTM 60A Kontinuierlich 2,2mΩ Rds ((on) SON 3.3x3.3mm -55°C bis +150°C AEC-Q101

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CSD17304Q3 30V N-Kanal NexFETTM 60A Kontinuierlich 2,2mΩ Rds ((on) SON 3.3x3.3mm -55°C bis +150°C AEC-Q101

Großes Bild : CSD17304Q3 30V N-Kanal NexFETTM 60A Kontinuierlich 2,2mΩ Rds ((on) SON 3.3x3.3mm -55°C bis +150°C AEC-Q101

Produktdetails:

Place of Origin:	China
Markenname:	Texas Instruments
Zertifizierung:	CE,ROHS
Model Number:	CSD17304Q3

Zahlung und Versand AGB:

Minimum Order Quantity:	1pcs

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Frequenzstabilität:	± 50 ppm	Frequenzverträglichkeit:	± 30 ppm
Betriebstemperatur:	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lastkapazität:	18pF
Paket / Fall:	HC-49/US	Name:	passive elektronische Bauelemente
Hervorheben:	Nichtverbindliche Verbindlichkeiten , CSD17304Q3 N-Kanal NexFET , 30V N-Kanal NexFET

CSD17304Q3

andnbsp;

MERKMALE

andbull; Optimiert für 5V Gate-Ansteuerung

andbull; Ultraniedriges Qg und Qgd

andbull; Geringer Wärmewiderstand

andbull; Lawinenfest

andbull; Pb-freie Anschlussbeschichtung

andbull; RoHS-konform

andbull; Halogenfrei

andbull; SON 3,3-mm x 3,3-mm-Kunststoffgehäuse

andnbsp;

ANWENDUNGEN

andbull; Notebook Point of Load

andbull; Point-of-Load-Synchron-Buck in

andnbsp;andnbsp;Netzwerk-, Telekommunikations- und Computersystemen

andnbsp;

BESCHREIBUNG

Der CSD17304Q3 ist ein 30V N-Kanal NexFETandtrade; Leistungs-MOSFET von Texas Instruments (TI) mit einem fortschrittlichen SON 3,3x3,3 mm Gehäuse. Entwickelt für Hochstrom-, hocheffiziente Leistungsumwandlung, seine ultra-niedrige Rds(on) (2,2 mΩ) und 60A Dauerstromfähigkeit machen ihn ideal für Automobilelektronik, industrielle Stromversorgungssysteme und Motorantriebe.

✔ 80 % kleiner als TO-220-Gehäuse
✔ 60 % geringere Verlustleistung (vs. 5 mΩ MOSFETs)
✔ Unterstützt 1 MHz PWM-Schaltung

andnbsp;

INFORMATIONEN

Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzel-FETs, MOSFETs	andnbsp;
Hersteller	Texas Instruments	andnbsp;
Serie	NexFETandtrade;	andnbsp;
Verpackung	Band und Spule (TR) Geschnittenes Band (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Teilestatus	Aktiv	andnbsp;
FET-Typ	N-Kanal	andnbsp;
Technologie	MOSFET (Metalloxid)	andnbsp;
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V	andnbsp;
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25anddeg;C	15A (Ta), 56A (Tc)	andnbsp;
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7,5 mOhm @ 17A, 8V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	1,8 V @ 250andmicro;A	andnbsp;
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6,6 nC @ 4,5 V	andnbsp;
Vgs (Max)	+10V, -8V	andnbsp;
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	955 pF @ 15 V	andnbsp;
FET-Funktion	-	andnbsp;
Verlustleistung (Max)	2,7 W (Ta)	andnbsp;
Betriebstemperatur	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Qualität	-	andnbsp;
Qualifizierung	-	andnbsp;
Montageart	Oberflächenmontage	andnbsp;
Gehäuse des Lieferantengeräts	8-VSON-CLIP (3,3x3,3)	andnbsp;
Gehäuse / Gehäuse	8-PowerTDFN	andnbsp;
Basisproduktnummer	CSD17304

andnbsp;

Zeichnung

andnbsp;

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1. 10 Jahre Erfahrung mit Komponenten; One-Stop-Service für die Stückliste; PCBandamp;PCBA-Service.

2. Herstellung von Kommunikationsantennen, HF-Koaxialkabeln, HF-Steckern, Klemmen.

3. Vertrieb von GSM/GPRS-, GPS-, 3G-, 4G/LTE-Modulen.

Unsere hochwertigen Produkte, wettbewerbsfähigen Preise und professionellen Dienstleistungen,

sind sicher, Ihre Anforderungen an alle Arten von Komponenten zu erfüllen. ^_^

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Größe und Tag:

Ansprechpartner: Mrs. Natasha

Telefon: 86-13723770752

Faxen: 86-755-82815220

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